Reliability of GaN high electron mobility transistors on silicon substrates

Thesis (S.M.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Electrical Engineering and Computer Science, 2009.

Bibliografiset tiedot
Päätekijä: Demirtas, Sefa
Muut tekijät: Jesús A. del Alamo.
Aineistotyyppi: Opinnäyte
Kieli:eng
Julkaistu: Massachusetts Institute of Technology 2010
Aiheet:
Linkit:http://hdl.handle.net/1721.1/53313