Gate-all-around silicon nanowire MOSFETs : top-down fabrication and transport enhancement techniques

Thesis (Ph. D.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Electrical Engineering and Computer Science, 2010.

Библиографические подробности
Главный автор: Hashemi, Pouya
Другие авторы: Judy L. Hoyt.
Формат: Диссертация
Язык:eng
Опубликовано: Massachusetts Institute of Technology 2011
Предметы:
Online-ссылка:http://hdl.handle.net/1721.1/62313