Gate-all-around silicon nanowire MOSFETs : top-down fabrication and transport enhancement techniques
Thesis (Ph. D.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Electrical Engineering and Computer Science, 2010.
Главный автор: | |
---|---|
Другие авторы: | |
Формат: | Диссертация |
Язык: | eng |
Опубликовано: |
Massachusetts Institute of Technology
2011
|
Предметы: | |
Online-ссылка: | http://hdl.handle.net/1721.1/62313 |