The Influence of Adjacent Segment on the Reliability of Cu Dual Damascene Interconnects

The Influence of Adjacent Segment on the Reliability of Cu Dual Damascene Interconnects

Three terminal ‘dotted-I’ interconnect structures, with vias at both ends and an additional via in the middle, were tested under various test conditions. Mortalities (failures) were found in right segments with jL value as low as 1250 A/cm, and the mortality of a dotted-I segment is dependent on t...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Chang, Choon Wai, Choi, Z.-S., Thompson, Carl V., Gan, C.L., Pey, Kin Leong, Choi, Wee Kiong, Hwang, N.
Ձևաչափ: Հոդված
Լեզու:English
Հրապարակվել է: 2005
Խորագրեր:
Cu dual damascene processes
terminal ‘dotted-I’ interconnect structures
vias
dotted-I segments
copper
silicon nitride
Առցանց հասանելիություն:http://hdl.handle.net/1721.1/7533

Համացանց

http://hdl.handle.net/1721.1/7533

Նմանատիպ նյութեր