Band alignment between GaN and ZrO2 formed by atomic layer deposition

Band alignment between GaN and ZrO2 formed by atomic layer deposition

The band alignment between Ga-face GaN and atomic-layer-deposited ZrO2 was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The dependence of Ga 3d and Zr 3d core-level positions on the take-off angles indicated upward band bending at GaN surface and potential gradient in ZrO2 layer. Based...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:	Ye, Gang, Wang, Hong, Arulkumaran, Subramaniam, Ng, Geok Ing, Li, Yang, Liu, Zhi Hong, Ang, Kian Siong
Այլ հեղինակներ:	School of Electrical and Electronic Engineering
Ձևաչափ:	Journal Article
Լեզու:	English
Հրապարակվել է:	2014
Խորագրեր:	DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering
Առցանց հասանելիություն:	https://hdl.handle.net/10356/105073 http://hdl.handle.net/10220/20376 http://dx.doi.org/10.1063/1.4890470

Նմանատիպ նյութեր

Influence of post-deposition annealing on interfacial properties between GaN and ZrO2 grown by atomic layer deposition
‌: Ye, Gang, և այլն
Հրապարակվել է: (2014)

Effect of surface pretreatment on interfacial chemical bonding states of atomic layer deposited ZrO2 on AlGaN
‌: Ye, Gang, և այլն
Հրապարակվել է: (2015)

Impact of post-deposition annealing on interfacial chemical bonding states between AlGaN and ZrO2 grown by atomic layer deposition
‌: Ye, Gang, և այլն
Հրապարակվել է: (2015)

Atomic layer deposition of ZrO2 as gate dielectrics for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors on silicon
‌: Ye, G., և այլն
Հրապարակվել է: (2014)

ZrO2 as high-K gate dielectric for GaN-based transistors
‌: Ye, Gang
Հրապարակվել է: (2016)

Investigation of gate leakage current mechanism in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with sputtered TiN
‌: Li, Yang, և այլն
Հրապարակվել է: (2017)

Vertical GaN-on-GaN Schottky diodes as α-particle radiation sensors
‌: Sandupatla, Abhinay, և այլն
Հրապարակվել է: (2020)

Low-contact-resistance non-gold Ta/Si/Ti/Al/Ni/Ta ohmic contacts on undoped AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors grown on silicon
‌: Li, Yang, և այլն
Հրապարակվել է: (2015)

Conduction mechanism of non-gold Ta/Si/Ti/Al/Ni/Ta ohmic contacts in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
‌: Li, Yang, և այլն
Հրապարակվել է: (2015)

Demonstration of submicron-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on silicon with complementary metal-oxide-semiconductor-compatible non-gold metal stack
‌: Arulkumaran, Subramaniam, և այլն
Հրապարակվել է: (2015)

Effective suppression of current collapse in both E- and D-mode AlGaN/GaN HEMTs on Si by [(NH4)2Sx] passivation
‌: Vicknesh, Sahmuganathan, և այլն
Հրապարակվել է: (2013)

Direct current and microwave characteristics of sub-micron AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on 8-inch Si(111) substrate
‌: Arulkumaran, Subramaniam, և այլն
Հրապարակվել է: (2013)

Demonstration of AlGaN/GaN MISHEMT on Si with low-temperature epitaxy grown AlN dielectric gate
‌: Whiteside, Matthew, և այլն
Հրապարակվել է: (2021)

High Johnson’s figure of merit (8.32 THz·V) in 0.15-µm conventional T-gate AlGaN/GaN HEMTs on silicon
‌: Ranjan, Kumud, և այլն
Հրապարակվել է: (2015)

GaN-on-Silicon integration technology
‌: Ng, Geok Ing, և այլն
Հրապարակվել է: (2013)

Investigation of self-heating effect on DC and RF performances in AlGaN/GaN HEMTs on CVD-Diamond
‌: Ranjan, Kumud, և այլն
Հրապարակվել է: (2020)

GaN drift-layer thickness effects in vertical Schottky barrier diodes on free-standing HVPE GaN substrates
‌: Deki, M., և այլն
Հրապարակվել է: (2019)

Record low contact resistance for InAlN/GaN HEMTs on Si with non-gold metal
‌: Arulkumaran, Subramaniam, և այլն
Հրապարակվել է: (2015)

Low voltage high-energy α-particle detectors by GaN-on-GaN Schottky diodes with record-high charge collection efficiency
‌: Sandupatla, Abhinay, և այլն
Հրապարակվել է: (2020)

Demonstration of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on 100-mm-diameter Si(111) by ammonia molecular beam epitaxy
‌: Dharmarasu, Nethaji, և այլն
Հրապարակվել է: (2013)

Effect of post-deposition annealing on the interface electronic structures of Al2O3-Capped GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructure
‌: Duan, Tian Li, և այլն
Հրապարակվել է: (2019)

Role of ex-situ HfO2 passivation to improve device performance and suppress X-ray-induced degradation characteristics of in-situ Si3N4/AlN/GaN MIS-HEMTs
‌: Dalapati, Pradip, և այլն
Հրապարակվել է: (2025)

First demonstration of high-frequency InAlN/GaN high-electron-mobility transistor using GaN-on-insulator technology via 200 mm wafer bonding
‌: Li, Hanchao, և այլն
Հրապարակվել է: (2024)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
‌: Kyaw, Zabu, և այլն
Հրապարակվել է: (2014)

Highly-Scaled Self-Aligned GaN Complementary Technology on a GaN-on-Si Platform
‌: Xie, Qingyun, և այլն
Հրապարակվել է: (2023)

ZrO2 thin films on Si substrate
‌: Wong, Y.H., և այլն
Հրապարակվել է: (2010)

Transformation toughening and the martensitic transformation in ZrO2
‌: Coyle, Thomas William.
Հրապարակվել է: (2024)

Investigation of optical and structural properties of ion-assisted deposition (IAD) ZrO2 thin films
‌: Farhan, M.S., և այլն
Հրապարակվել է: (2013)

Improved OFF-state breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMTs grown on 150-mm diameter silicon-on-insulator (SOI) substrate
‌: Dolmanan, S. B., և այլն
Հրապարակվել է: (2013)

Structure and bonding at Ni-ZrO2 (cubic) interfaces formed by the reduction of a NiO-ZrO2 (cubic) composite
‌: Dickey, E, և այլն
Հրապարակվել է: (1997)

Mechanism of the α-Zr to hexagonal-ZrO transformation and its impact on the corrosion performance of nuclear Zr alloys
‌: Liu, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2019)

Non-linear thermal resistance model for the simulation of high power GaN-based devices
‌: Garciá-Sánchez, S., և այլն
Հրապարակվել է: (2022)

Investigation of the role of pre-existing oxide in the initial degradation mechanism in AlGaN/GaN HEMTs under ON-state stress
‌: Tan, H. T., և այլն
Հրապարակվել է: (2024)

Band alignment of HfO2/AlN heterojunction investigated by X-ray photoelectron spectroscopy
‌: Ye, Gang, և այլն
Հրապարակվել է: (2016)

High vertical breakdown strength in with low specific on-resistance AlGaN/AlN/GaN HEMTs on silicon
‌: Vicknesh, S., և այլն
Հրապարակվել է: (2014)

Production Of Biodiesel From Jatropha Curcas L. Oil Catalyzed By SO42-/ZrO2
‌: Yee , Kian Fei
Հրապարակվել է: (2010)

High-responsivity modulation-doped AlGaAs/InGaAs thermopiles for uncooled IR-FPA utilizing integrated HEMT-MEMS technology
‌: Abe, Masayuki, և այլն
Հրապարակվել է: (2013)

Investigation on in vitro biodegradation behaviours of ZrO2-reinforced Mg-based metallic glasses
‌: Ang, Chern Heidi
Հրապարակվել է: (2013)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
‌: Sun, Xiaowei, և այլն
Հրապարակվել է: (2013)

First Demonstration of a Self-Aligned GaN p-FET
‌: Chowdhury, Nadim, և այլն
Հրապարակվել է: (2021)