Enlarged read window in the asymmetric ITO/HfOx/TiN complementary resistive switch

The narrow read-window of most complementary resistive switches proposed to-date poses a significant challenge to array level implementation, as inherent variations in the set and reset voltages result in an unacceptably small read margin. In this work, we present the asymmetrical ITO/HfOx/TiN compl...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Zhang, H. Z., Ang, Diing Shenp, Zhou, Yu, Wang, Xin Peng
Tác giả khác: School of Electrical and Electronic Engineering
Định dạng: Journal Article
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: 2017
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://hdl.handle.net/10356/84160
http://hdl.handle.net/10220/43569