Parasitic analysis and π-type Butterworth-Van Dyke model for complementary-metal-oxide-semiconductor Lamb wave resonator with accurate two-port Y-parameter characterizations

The parasitic effects from electromechanical resonance, coupling, and substrate losses were collected to derive a new two-port equivalent-circuit model for Lamb wave resonators, especially for those fabricated on silicon technology. The proposed model is a hybrid π-type Butterworth-Van Dyke (PiBVD)...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Wang, Yong, Goh, Wang Ling, Chai, Kevin T.-C., Mu, Xiaojing, Hong, Yan, Kropelnicki, Piotr, Je, Minkyu
Այլ հեղինակներ: School of Electrical and Electronic Engineering
Ձևաչափ: Journal Article
Լեզու:English
Հրապարակվել է: 2018
Խորագրեր:
Առցանց հասանելիություն:https://hdl.handle.net/10356/89725
http://hdl.handle.net/10220/47127