Electrical characteristics of Si nanocrystal distributed in a narrow layer in the gate oxide near the gate synthesized with very-low-energy ion beams
A nanocrystal Si (nc-Si) distributed in a narrow layer in the gate oxide close to the gate is synthesized with Si ion implantation at 2 keV, and the electrical characteristics of the nc-Si structure are investigated. The onset voltage of the Fowler-Nordheim tunneling of the structure is lower than t...
| Հիմնական հեղինակներ: | , , , , , , |
|---|---|
| Այլ հեղինակներ: | |
| Ձևաչափ: | Journal Article |
| Լեզու: | English |
| Հրապարակվել է: |
2010
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://hdl.handle.net/10356/90586 http://hdl.handle.net/10220/6426 |