Penentuan profil konsentrasi ion dopan pada lapisan semikonduktor silikon diimplantasi dengan ion fosfor tenaga 30 KeV dan 60 KeV
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Thesis |
| Published: |
[Yogyakarta] : Universitas Gadjah Mada
1996
|
| Subjects: |
| _version_ | 1826037141512126464 |
|---|---|
| author | , DWIJANANTI, Pratiwi , Prof.Dr.Ir. Prayoto, M.Sc |
| author_facet | , DWIJANANTI, Pratiwi , Prof.Dr.Ir. Prayoto, M.Sc |
| author_sort | , DWIJANANTI, Pratiwi |
| collection | UGM |
| first_indexed | 2024-03-13T20:17:48Z |
| format | Thesis |
| id | oai:generic.eprints.org:56806 |
| institution | Universiti Gadjah Mada |
| last_indexed | 2024-03-13T20:17:48Z |
| publishDate | 1996 |
| publisher | [Yogyakarta] : Universitas Gadjah Mada |
| record_format | dspace |
| spelling | oai:generic.eprints.org:568062014-08-20T06:03:02Z https://repository.ugm.ac.id/56806/ Penentuan profil konsentrasi ion dopan pada lapisan semikonduktor silikon diimplantasi dengan ion fosfor tenaga 30 KeV dan 60 KeV , DWIJANANTI, Pratiwi , Prof.Dr.Ir. Prayoto, M.Sc ETD [Yogyakarta] : Universitas Gadjah Mada 1996 Thesis NonPeerReviewed , DWIJANANTI, Pratiwi and , Prof.Dr.Ir. Prayoto, M.Sc (1996) Penentuan profil konsentrasi ion dopan pada lapisan semikonduktor silikon diimplantasi dengan ion fosfor tenaga 30 KeV dan 60 KeV. UNSPECIFIED thesis, UNSPECIFIED. http://etd.ugm.ac.id/index.php?mod=penelitian_detail&sub=PenelitianDetail&act=view&typ=html&buku_id=17671 |
| spellingShingle | ETD , DWIJANANTI, Pratiwi , Prof.Dr.Ir. Prayoto, M.Sc Penentuan profil konsentrasi ion dopan pada lapisan semikonduktor silikon diimplantasi dengan ion fosfor tenaga 30 KeV dan 60 KeV |
| title | Penentuan profil konsentrasi ion dopan pada lapisan semikonduktor silikon diimplantasi dengan ion fosfor tenaga 30 KeV dan 60 KeV |
| title_full | Penentuan profil konsentrasi ion dopan pada lapisan semikonduktor silikon diimplantasi dengan ion fosfor tenaga 30 KeV dan 60 KeV |
| title_fullStr | Penentuan profil konsentrasi ion dopan pada lapisan semikonduktor silikon diimplantasi dengan ion fosfor tenaga 30 KeV dan 60 KeV |
| title_full_unstemmed | Penentuan profil konsentrasi ion dopan pada lapisan semikonduktor silikon diimplantasi dengan ion fosfor tenaga 30 KeV dan 60 KeV |
| title_short | Penentuan profil konsentrasi ion dopan pada lapisan semikonduktor silikon diimplantasi dengan ion fosfor tenaga 30 KeV dan 60 KeV |
| title_sort | penentuan profil konsentrasi ion dopan pada lapisan semikonduktor silikon diimplantasi dengan ion fosfor tenaga 30 kev dan 60 kev |
| topic | ETD |
| work_keys_str_mv | AT dwijanantipratiwi penentuanprofilkonsentrasiiondopanpadalapisansemikonduktorsilikondiimplantasidenganionfosfortenaga30kevdan60kev AT profdrirprayotomsc penentuanprofilkonsentrasiiondopanpadalapisansemikonduktorsilikondiimplantasidenganionfosfortenaga30kevdan60kev |