Transferable reduced TB models for elemental Si and N and binary Si-N systems
<p>Silicon nitride is a bulk and a coating material exhibiting excellent mechanical properties. The understanding of the complex processes at the nanometre scale gained through experimental research will be enhanced by the existence of a computationally efficient and accurate model that is abl...
Հիմնական հեղինակ: | Gehrmann, J |
---|---|
Այլ հեղինակներ: | Kolmogorov, A |
Ձևաչափ: | Թեզիս |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
2013
|
Խորագրեր: |
Նմանատիպ նյութեր
-
Electronic excitations in semiconductors and insulators using the Sternheimer-GW method
: Lambert, H, և այլն
Հրապարակվել է: (2014) -
A theoretical investigation of gas source growth of the Si(001) surface
: Bowler, D, և այլն
Հրապարակվել է: (1997) -
Effect of CaO/SiO2 molar ratio on the electrical and physical properties of basaltic glass materials
: G.A. Khater, և այլն
Հրապարակվել է: (2019-02-01) -
The atomistic modelling approach to designing new metal-boride superconductors
: Shah, S
Հրապարակվել է: (2013) -
Carbon nanotube thin film electrodes and magneto-optical spectroscopy of perovskite single crystals and thin films
: Dollmann, M
Հրապարակվել է: (2019)