Annealing effects on the microstructure of Ge/Si(001) quantum dots

Annealing effects on the microstructure of Ge/Si(001) quantum dots

Ge/Si(001) multilayer islands produced by gas-source molecular-beam epitaxy at 575 °C were investigated using energy-filtering transmission electron microscopy. Results show, for as-grown samples, not only a continuous enlargement of island size in upper layers but also a continuous increase of Ge c...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:	Liao, X, Zou, J, Cockayne, D, Wan, J, Jiang, Z, Jin, G, Wang, K
বিন্যাস:	Journal article
ভাষা:	English
প্রকাশিত:	2001

অনুরূপ উপাদানগুলি

Alloying, elemental enrichment, and interdiffusion during the growth of Ge(Si)/Si(001) quantum dots
অনুযায়ী: Liao, X, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2002)

Nonuniform alloying in Ge(Si)/Si(001) quantum dots
অনুযায়ী: Lang, C, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2003)

The non-uniform composition profile in Ge(Si)/Si(001) quantum dots
অনুযায়ী: Lang, C, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2004)

[001] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(001).
অনুযায়ী: Liao, X, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2004)

Extracting composition and alloying information of coherent Ge(Si)/Si(001) islands from [001] on-zone bright-field diffraction contrast images
অনুযায়ী: Liao, X, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2001)

Alternative mechanism for misfit dislocation generation during high-temperature Ge(Si)/Si(001) island growth
অনুযায়ী: Zou, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2002)

Strain relaxation by alloying effects in Ge islands grown on Si(001)
অনুযায়ী: Liao, X, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1999)

Adatom condensation and quantum dot sizes in InGaAs/GaAs (001)
অনুযায়ী: Leon, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2000)

Strain and defect microstructure in ion-irradiated GeSi/Si strained layers as a function of annealing temperature
অনুযায়ী: Glasko, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1998)

GeSi quantum dots: the effect of alloying on the shape transformation
অনুযায়ী: Lang, C, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2003)

Transmission electron microscopy study of InxGa1-xAs quantum dots on a GaAs(001) substrate
অনুযায়ী: Zou, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1999)

Alloyed Ge(Si)/Si(001) islands: The composition profile and the shape transformation
অনুযায়ী: Lang, C, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2005)

The morphology and composition of quantum dots
অনুযায়ী: Cockayne, D, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2001)

Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
অনুযায়ী: Goldfarb, I, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1999)

Composition and its impact on shape evolution in dislocated Ge(Si)/Si islands
অনুযায়ী: Liao, X, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2000)

SiGe quantum wells with oscillating Ge concentrations for quantum dot qubits
অনুযায়ী: Thomas McJunkin, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2022-12-01)

Band-offset determination and excitons in SiGe/Si(001) quantum wells
অনুযায়ী: Cheng, H, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2000)

Formation of uniform high-density and small-size Ge/Si quantum dots by scanning pulsed laser annealing of pre-deposited Ge/Si film
অনুযায়ী: Hamza Qayyum, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2016-05-01)

Real time observation of GeSi/Si(001) island shrinkage due to surface alloying during Si capping.
অনুযায়ী: Lang, C, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2006)

Transmission electron microscopy investigation of semiconductor quantum dots
অনুযায়ী: Liao, X, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2000)

Characterisation of the structure and composition of quantum dots
অনুযায়ী: Cockayne, D, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2001)

Formation of Nanopits in Si Capping Layers on SiGe Quantum Dots
অনুযায়ী: Cui Jian, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011-01-01)

O-Band Emitting InAs Quantum Dots Grown by MOCVD on a 300 mm Ge-Buffered Si (001) Substrate
অনুযায়ী: Oumaima Abouzaid, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2020-12-01)

Angle-Selective Photodetection in Ge/Si Quantum Dot Photodiodes Enhanced by Microstructured Hole Arrays
অনুযায়ী: Andrew I. Yakimov, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2023-07-01)

Excitation Intensity Driven PL Shifts of SiGe Islands on Patterned and Planar Si(001) Substrates: Evidence for Ge-rich Dots in Islands
অনুযায়ী: Brehm M, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2010-01-01)

Atomic fluctuations lifting the energy degeneracy in Si/SiGe quantum dots
অনুযায়ী: Brian Paquelet Wuetz, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2022-12-01)

Ge quantum dot arrays grown by ultrahigh vacuum molecular-beam epitaxy on the Si(001) surface: nucleation, morphology, and CMOS compatibility
অনুযায়ী: Yuryev Vladimir, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011-01-01)

Reactive deposition epitaxy of CoSi2 nanostructures on Si(001): Nucleation and growth and evolution of dots during anneal
অনুযায়ী: Goldfarb, I, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1999)

Stress and relief of misfit strain of Ge/Si(001)
অনুযায়ী: Wedler, G, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1998)

Sensitively Site‐Dependent Enhancement of Emissions from Ge Quantum Dots in SiGe Microdisks
অনুযায়ী: Ningning Zhang, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2022-12-01)

Ordered GeSi nanorings grown on patterned Si (001) substrates
অনুযায়ী: Ma Yingjie, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011-01-01)

Ensemble interactions in strained semiconductor quantum dots
অনুযায়ী: Leon, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1999)

Image simulations of quantum dots
অনুযায়ী: Lang, C, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2001)

Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
অনুযায়ী: Goldfarb, I, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1997)

Temperature spectra of conductance of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots
অনুযায়ী: Ihor I. Izhnin, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017-02-01)

Investigation of GeSn/Ge quantum dots’ optical transitions for integrated optics on Si substrate
অনুযায়ী: Mourad Baira, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2019-03-01)

Continuous-wave quantum dot photonic crystal lasers grown on on-axis Si (001)
অনুযায়ী: Taojie Zhou, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2020-02-01)

Electromodulated reflectance study of self-assembled Ge/Si quantum dots
অনুযায়ী: Yakimov Andrew, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011-01-01)

Epitaxial Growth of Ordered In-Plane Si and Ge Nanowires on Si (001)
অনুযায়ী: Jian-Huan Wang, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2021-03-01)

Tilt boundary formation in GeSi/Si (001) vicinal heterosystem
অনুযায়ী: Aleksei V. Kolesnikov, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2015-03-01)