Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
AN STM STUDY OF THE CHEMISORPT...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
AN STM STUDY OF THE CHEMISORPTION OF C2H4 ON SI(001)(2X1)
Библиографические подробности
Главные авторы:
Mayne, A
,
Avery, A
,
Knall, J
,
Jones, T
,
Briggs, G
,
Weinberg, W
Формат:
Journal article
Опубликовано:
1993
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
CHEMISORPTION OF ORGANIC ADSORBATES ON SILICON AND GOLD STUDIED BY SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
по: Mayne, A, и др.
Опубликовано: (1992)
An elevated temperature STM study of the Si(001) c(4x4) surface reconstruction
по: Norenberg, H, и др.
Опубликовано: (1999)
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
по: Goldfarb, I, и др.
Опубликовано: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
по: Owen, J, и др.
Опубликовано: (1997)
An STM study of the UO2(001) surface
по: Muggelberg, C, и др.
Опубликовано: (1999)