Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHI...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHIZATION PROCESSES IN ALXGA1-XAS
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Tan, H
,
Jagadish, C
,
Williams, J
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Sikorski, A
Format:
Journal article
Wydane:
1995
Egzemplarz
Opis
Podobne zapisy
Wersja MARC
Podobne zapisy
Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
od: Tan, H, i wsp.
Wydane: (1996)
Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
od: Jiang, N, i wsp.
Wydane: (2012)
Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
od: Ahmed Z. Obaid, i wsp.
Wydane: (2024-09-01)
INFLUENCE OF LIGHT ON THE CONFINEMENT POTENTIAL OF GAAS/ALXGA1-XAS HETEROJUNCTIONS
od: Michels, J, i wsp.
Wydane: (1995)
Phonon bottleneck in GaAs/AlxGa1−xAs quantum dots
od: Y. C. Chang, i wsp.
Wydane: (2015-06-01)