ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHIZATION PROCESSES IN ALXGA1-XAS

ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHIZATION PROCESSES IN ALXGA1-XAS

Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:	Tan, H, Jagadish, C, Williams, J, Zou, J, Cockayne, D, Sikorski, A
Materyal Türü:	Journal article
Baskı/Yayın Bilgisi:	1995

Benzer Materyaller

Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
Yazar:: Tan, H, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1996)

Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
Yazar:: Jiang, N, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
Yazar:: Ahmed Z. Obaid, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024-09-01)

INFLUENCE OF LIGHT ON THE CONFINEMENT POTENTIAL OF GAAS/ALXGA1-XAS HETEROJUNCTIONS
Yazar:: Michels, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1995)

Phonon bottleneck in GaAs/AlxGa1−xAs quantum dots
Yazar:: Y. C. Chang, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015-06-01)

Long minority carrier lifetime in Au-catalyzed GaAs/AlxGa1-xAs core-shell nanowires
Yazar:: Jiang, N, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
Yazar:: Oleg V. Devitsky, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022-05-01)

ELECTRON-LO-PHONON SCATTERING RATES IN GAAS-ALXGA1-XAS QUANTUM-WELLS
Yazar:: Weber, G, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1991)

Propriedades elétricas da liga AlxGa1-xAs dopada com Silício.
Yazar:: Ivan Frederico Lupiano Dias, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004-12-01)

Growth and Characterization of AlxGa1-xAs Obtained by Metallic-Arsenic-Based-MOCVD
Yazar:: Roberto Saúl Castillo-Ojeda, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2017-03-01)

PICOSECOND PHOTOLUMINESCENCE INTENSITY CORRELATION-MEASUREMENTS OF HOT CARRIERS IN GAAS/ALXGA1-XAS QUANTUM-WELLS
Yazar:: Depaula, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1994)

Energy shifts of heavy and light holes and electroluminescence intensity increase in p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs laser diode heterostructure under uniaxial compression
Yazar:: Bogdanov, E., ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011-02-01)

BULK AND TRANSFER DOPING EFFECTS IN ALXGA1-XAS LAYERS GROWN ON SEMI-INSULATING GAAS SUBSTRATES
Yazar:: Nicholas, R, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1984)

MAGNETOOPTICAL STUDIES OF SCREENED EXCITONS IN GAAS/ALXGA1-XAS MODULATION-DOPED QUANTUM-WELLS
Yazar:: Henriques, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1992)

Properties of AlxGa1−xAs grown from a mixed Ga–Bi melt
Yazar:: Olga Khvostikova, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024-01-01)

Picosecond photoluminescence intensity correlation measurements of hot carriers in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells
Yazar:: de Paula, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1994)

Topographical, compositional, and dopant contrast from cleavage surfaces of GaAs-AlxGa1-xAs superlattices
Yazar:: Castell, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1995)

Numerical study of valence band states evolution in AlxGa1-xAs [111] QDs systems
Yazar:: Mikhail Lazarev
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024-02-01)

Research of synthesis conditions and structural features of heterostructure AlXGa1-XAs/GaAs of the “desert rose” type
Yazar:: Yana Suchikova, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022-12-01)

Formation Technology of Graded-Gap AlxGa1-xAs Solar Cell Structure Separated from GaAs Substrate
Yazar:: Aldis ŠILĖNAS, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014-06-01)

Piezoelectric effects of single-crystal GaAs and multi-layered AlxGa1-xAs/GaAs material measured by the Michelson interferometer
Yazar:: Patara Aiyarak, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2003-09-01)

Indium segregation and enrichment in coherent InxGa1-xAs/GaAs quantum dots
Yazar:: Liao, X, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)

Far Infrared Modulated Photoluminescence (FIRM-PL) study of a 2-D electron gas in GaAs/AlxGa1-xAs heterojunctions and quantum wells
Yazar:: Nicholas, R, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2000)

Effects of hills, morphology, electromagnetic fields, temperature, pressure, and aluminum concentration on the second harmonic generation of GaAs/AlxGa1-xAs elliptical quantum rings
Yazar:: N. Benzerroug, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024-08-01)

CRITICAL THICKNESS DETERMINATION OF INXGA1-XAS/GAAS STRAINED-LAYER SYSTEM BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
Yazar:: Zou, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1991)

Etude analytique d’une cellule solaire à hétérojonction p+ (GaAs)/n (AlxGa1-xAs)/N (Al0.4Ga0.6As)
Yazar:: H. Ben Slimane, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2008-06-01)

Transmission electron microscopy study of InxGa1-xAs quantum dots on a GaAs(001) substrate
Yazar:: Zou, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)

A far infrared modulated photoluminescence (FIRM-PL) study of cyclotron resonance in a 2D electron gas in GaAs/AlxGa1-xAs heterojunctions
Yazar:: Chang, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)

Transmission-electron microscopy study of the shape of buried InxGa1-xAs/GaAs quantum dots
Yazar:: Liao, X, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1998)

Inhomogeneous sources of misfit dislocation generation in InxGa1-xAs/GaAs strained-layer heterostructures grown by molecular beam epitaxy
Yazar:: Zou, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1997)

Arsenic Irradiation Induced Atomic Interdiffusion of InxGa1-xAs/InP Quantum Well Structures
Yazar:: P.L. Gareso,, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012-12-01)

Indium segregation and enrichment in coherent InxGa1-xAs/GaAs quantum dots (vol 82, pg 5148, 1999)
Yazar:: Liao, X, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)

Influence of growth temperature and V/III ratio on Au-assisted In xGa1-xAs nanowires
Yazar:: Ameruddin, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Carrier capture and relaxation in Stranski-Krastanow InxGa1-xAs/GaAs(311)B quantum dots
Yazar:: Lobo, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2000)

EFFECTIVE MASSES AND NON-PARABOLICITY IN GAXIN1-XAS
Yazar:: Sarkar, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1985)

Africa Guidelines for Hepatocellular Carcinoma Buildup Process
Yazar:: Ghassan K. Abou-Alfa, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023-09-01)

MECHANISTIC ASPECTS RELATING TO THE GROWTH OF GAXIN1-XAS BY CBE
Yazar:: French, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1991)

Ion implantation processing of GaN epitaxial layers
Yazar:: Tan, H, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1996)

Temperature dependence of the electrical resistivity of LaxLu1-xAs
Yazar:: S. Rahimi, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013-08-01)

Cavity buildup dispersion spectroscopy
Yazar:: Agata Cygan, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2021-01-01)