تخطي إلى المحتوى
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
اللغة
كل الحقول
العنوان
المؤلف
الموضوع
رقم الاستدعاء
ردمك/تدمد
الوسم
ابحث
بحث متقدم
ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHI...
استشهد بهذا
أرسل هذا في رسالة قصيرة
أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
طباعة
تصدير التسجيلة
تصدير إلى RefWorks
تصدير إلى EndNoteWeb
تصدير إلى EndNote
رابط دائم
ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHIZATION PROCESSES IN ALXGA1-XAS
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:
Tan, H
,
Jagadish, C
,
Williams, J
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Sikorski, A
التنسيق:
Journal article
منشور في:
1995
المقتنيات
الوصف
مواد مشابهة
عرض للأخصائي
مواد مشابهة
Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
حسب: Tan, H, وآخرون
منشور في: (1996)
Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
حسب: Jiang, N, وآخرون
منشور في: (2012)
Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
حسب: Ahmed Z. Obaid, وآخرون
منشور في: (2024-09-01)
INFLUENCE OF LIGHT ON THE CONFINEMENT POTENTIAL OF GAAS/ALXGA1-XAS HETEROJUNCTIONS
حسب: Michels, J, وآخرون
منشور في: (1995)
Phonon bottleneck in GaAs/AlxGa1−xAs quantum dots
حسب: Y. C. Chang, وآخرون
منشور في: (2015-06-01)