Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHI...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHIZATION PROCESSES IN ALXGA1-XAS
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Tan, H
,
Jagadish, C
,
Williams, J
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Sikorski, A
Format:
Journal article
Publicat:
1995
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
per: Tan, H, et al.
Publicat: (1996)
Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
per: Jiang, N, et al.
Publicat: (2012)
Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
per: Ahmed Z. Obaid, et al.
Publicat: (2024-09-01)
INFLUENCE OF LIGHT ON THE CONFINEMENT POTENTIAL OF GAAS/ALXGA1-XAS HETEROJUNCTIONS
per: Michels, J, et al.
Publicat: (1995)
Phonon bottleneck in GaAs/AlxGa1−xAs quantum dots
per: Y. C. Chang, et al.
Publicat: (2015-06-01)