Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHI...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHIZATION PROCESSES IN ALXGA1-XAS
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Tan, H
,
Jagadish, C
,
Williams, J
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Sikorski, A
Médium:
Journal article
Vydáno:
1995
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
Autor: Tan, H, a další
Vydáno: (1996)
Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
Autor: Jiang, N, a další
Vydáno: (2012)
Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
Autor: Ahmed Z. Obaid, a další
Vydáno: (2024-09-01)
INFLUENCE OF LIGHT ON THE CONFINEMENT POTENTIAL OF GAAS/ALXGA1-XAS HETEROJUNCTIONS
Autor: Michels, J, a další
Vydáno: (1995)
Phonon bottleneck in GaAs/AlxGa1−xAs quantum dots
Autor: Y. C. Chang, a další
Vydáno: (2015-06-01)