Siirry sisältöön
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Kieli
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Tagi
Hae
Tarkennettu
ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHI...
Sitaatti
Tekstiviesti
Lähetä sähköpostilla
Tulosta
Vie tietue
Vienti: RefWorks
Vienti: EndNoteWeb
Vienti: EndNote
Pysyvä linkki
ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHIZATION PROCESSES IN ALXGA1-XAS
Bibliografiset tiedot
Päätekijät:
Tan, H
,
Jagadish, C
,
Williams, J
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Sikorski, A
Aineistotyyppi:
Journal article
Julkaistu:
1995
Saatavuustiedot
Kuvaus
Samankaltaisia teoksia
Henkilökuntanäyttö
Samankaltaisia teoksia
Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
Tekijä: Tan, H, et al.
Julkaistu: (1996)
Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
Tekijä: Jiang, N, et al.
Julkaistu: (2012)
Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
Tekijä: Ahmed Z. Obaid, et al.
Julkaistu: (2024-09-01)
INFLUENCE OF LIGHT ON THE CONFINEMENT POTENTIAL OF GAAS/ALXGA1-XAS HETEROJUNCTIONS
Tekijä: Michels, J, et al.
Julkaistu: (1995)
Phonon bottleneck in GaAs/AlxGa1−xAs quantum dots
Tekijä: Y. C. Chang, et al.
Julkaistu: (2015-06-01)