Перейти до змісту
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Мова
Всі поля
Назва
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Тег
Знайти
Розширений
ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHI...
Цитувати
Відправити по sms
Відправити е-поштою
Друк
Експортувати запис
Екпортувати в RefWorks
Екпортувати в EndNoteWeb
Екпортувати в EndNote
Постійне посилання
ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHIZATION PROCESSES IN ALXGA1-XAS
Бібліографічні деталі
Автори:
Tan, H
,
Jagadish, C
,
Williams, J
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Sikorski, A
Формат:
Journal article
Опубліковано:
1995
Примірники
Опис
Схожі ресурси
Службовий вигляд
Схожі ресурси
Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
за авторством: Tan, H, та інші
Опубліковано: (1996)
Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
за авторством: Jiang, N, та інші
Опубліковано: (2012)
Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
за авторством: Ahmed Z. Obaid, та інші
Опубліковано: (2024-09-01)
INFLUENCE OF LIGHT ON THE CONFINEMENT POTENTIAL OF GAAS/ALXGA1-XAS HETEROJUNCTIONS
за авторством: Michels, J, та інші
Опубліковано: (1995)
Phonon bottleneck in GaAs/AlxGa1−xAs quantum dots
за авторством: Y. C. Chang, та інші
Опубліковано: (2015-06-01)