OBSERVATION OF DISSOCIATED DISLOCATIONS IN SILICON

OBSERVATION OF DISSOCIATED DISLOCATIONS IN SILICON

Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:	Ray, I, Cockayne, D
Materyal Türü:	Journal article
Baskı/Yayın Bilgisi:	1970

Benzer Materyaller

DISSOCIATION OF DISLOCATIONS IN SILICON
Yazar:: Ray, I, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1971)

DISSOCIATION OF NEAR-SCREW DISLOCATIONS IN GERMANIUM AND SILICON
Yazar:: Gomez, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1975)

GLIDING DISSOCIATED DISLOCATIONS IN CDS
Yazar:: Cockayne, D, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1980)

DISSOCIATION OF DISLOCATIONS IN DIAMOND
Yazar:: Pirouz, P, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1983)

Misfit-dislocation generation by dissociated dislocations in quantum-well heterostructures.
Yazar:: Zou, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1994)

GLIDING DISSOCIATED DISLOCATIONS IN HEXAGONAL CDS
Yazar:: Cockayne, D, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1980)

MISFIT DISLOCATION GENERATION FROM DISSOCIATED THREADING DISLOCATIONS IN STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES
Yazar:: Zou, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1995)

WEAK-BEAM TECHNIQUE APPLIED TO SUPERLATTICE DISLOCATIONS IN IRON-ALUMINUM ALLOYS .2. FOURFOLD DISSOCIATION IN DO3-TYPE ORDER
Yazar:: Crawford, R, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1973)

THEORETICAL CONSIDERATION OF EQUILIBRIUM DISSOCIATION GEOMETRIES OF 60-DEGREES MISFIT DISLOCATIONS IN SINGLE SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
Yazar:: Zou, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1995)

EQUILIBRIUM DISSOCIATION CONFIGURATION OF MISFIT DISLOCATIONS IN LOW STRAINED IN0.1GA0.9AS/GAAS SINGLE HETEROSTRUCTURES
Yazar:: Zou, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1993)

INVESTIGATION OF DISLOCATION GEOMETRIES IN DIAMOND CUBIC STRUCTURE
Yazar:: Ray, I, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1973)

Dissociation Behavior of Dislocations in Ice
Yazar:: Takeo Hondoh
Baskı/Yayın Bilgisi: (2019-07-01)

INVESTIGATIONS OF DISLOCATION STRAIN FIELDS USING WEAK BEAMS
Yazar:: Cockayne, D, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1969)

Cooperative dissociations of misfit dislocations at bimetal interfaces
Yazar:: K. Liu, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2016-11-01)

WEAK-BEAM TECHNIQUE APPLIED TO SUPERLATTICE DISLOCATIONS IN AN IRON-ALUMINIUM ALLOY
Yazar:: Ray, I, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1970)

PARTIAL SEPARATIONS OF EXTENDED ALPHA-DISLOCATIONS AND BETA-DISLOCATIONS IN II-VI SEMICONDUCTORS
Yazar:: Lu, G, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1986)

The dissociation of the [a plus c] dislocation in GaN
Yazar:: Hirsch, P, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

The dissociated properties of dislocation in two-dimensional triangular lattice
Yazar:: Xiaozhi Wu, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2008-09-01)

THEORETICAL CONSIDERATION OF MISFIT DISLOCATION NUCLEATION BY PARTIAL DISLOCATIONS IN [001] STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES
Yazar:: Zou, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1993)

DISLOCATION-STRUCTURE AND MOTION IN CDS
Yazar:: Lu, G, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1986)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
Yazar:: Senkader, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2001)

DISLOCATION GEOMETRIES IN SEMICONDUCTORS AND IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
Yazar:: Cockayne, D, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1991)

Dissociation of edge and screw pyramidal I and II dislocations in magnesium
Yazar:: Yang Yang, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023-12-01)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Yazar:: Wilshaw, P, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Yazar:: Wilshaw, P, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)

INCIPIENT DISLOCATION DIPOLES IN SILICON
Yazar:: Heggie, M
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)

Impurity locking of dislocations in silicon
Yazar:: Giannattasio, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

ELECTRICAL-ACTIVITY ASSOCIATED WITH DISLOCATIONS IN SILICON
Yazar:: Castaldini, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)

DISLOCATION-STRUCTURES AND MOTION IN II-VI SEMICONDUCTORS
Yazar:: Lu, G, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1983)

GLIDE OF MISFIT DISLOCATIONS THROUGH MULTILAYER HETEROSTRUCTURES
Yazar:: Zou, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1994)

The segregation behaviour of oxygen at dislocations in silicon
Yazar:: Senkader, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)

A dissociation mechanism for the [a plus c] dislocation in GaN
Yazar:: Nellist, P, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014)

TEM studies of misfit dislocations in strained-layer heterostructures
Yazar:: Zou, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1994)

DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS AS STUDIED BY WEAK-BEAM ELECTRON-MICROSCOPY
Yazar:: Cockayne, D, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1979)

The role of prismatic dislocation loops in the generation of glide dislocations in Cz-silicon
Yazar:: Giannattasio, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Yazar:: Fell, T, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)

INTERACTION OF IMPURITIES WITH DISLOCATION CORES IN SILICON
Yazar:: Heggie, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Yazar:: Wilshaw, P, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Yazar:: Fell, T, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
Yazar:: Senkader, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)