DIFFUSION OF DOPANT IN CRYSTALLINE SILICON - AN ASYMPTOTIC ANALYSIS

DIFFUSION OF DOPANT IN CRYSTALLINE SILICON - AN ASYMPTOTIC ANALYSIS

Bibliografische gegevens
Hoofdauteurs:	King, J, Please, C
Formaat:	Journal article
Gepubliceerd in:	1986

Gelijkaardige items

ONE-DIMENSIONAL AND TWO-DIMENSIONAL NONLINEAR DOPANT DIFFUSION IN CRYSTALLINE SILICON - SOME ANALYTICAL RESULTS
door: Please, C, et al.
Gepubliceerd in: (1988)

Data for 'Asymptotic Analysis of a Silicon Furnace Model'
door: Sloman, B, et al.
Gepubliceerd in: (2018)

Asymptotic analysis of a silicon furnace model
door: Sloman, B, et al.
Gepubliceerd in: (2018)

Dopant‐free passivating contacts for crystalline silicon solar cells: Progress and prospects
door: Yanhao Wang, et al.
Gepubliceerd in: (2023-02-01)

Double heterojunction crystalline silicon solar cells: from doped silicon to dopant-free passivating contacts
door: Wong, Terence Kin Shun, et al.
Gepubliceerd in: (2023)

Double Heterojunction Crystalline Silicon Solar Cells: From Doped Silicon to Dopant-Free Passivating Contacts
door: Terence K.S. Wong, et al.
Gepubliceerd in: (2022-07-01)

Normalized Characteristics of Laser-Induced Diffusion of Arsenic Dopants in Silicon
door: Oday Hamadi, et al.
Gepubliceerd in: (2007-04-01)

Asymptotic analysis of the growth of cake layers in filters
door: King, JR, et al.
Gepubliceerd in: (1996)

A NEW MODEL FOR THE DIFFUSION OF ARSENIC IN POLYCRYSTALLINE SILICON
door: Oneill, A, et al.
Gepubliceerd in: (1988)

Schottky barrier engineering on dopant-segregated schottky silicon nanowire MOSFETs
door: Chin, Yoke King
Gepubliceerd in: (2013)

Simulation of dopant diffusion in silicon using the finite element method : an adaptive meshing approach /
door: 225727 Razali Ismail
Gepubliceerd in: (1988)

Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon: dopant mapping through secondary electron imaging
door: Castell, M, et al.
Gepubliceerd in: (1999)

Solvothermal synthesis of crystalline 2D bismuth telluride with an isoelectronic dopant
door: Lindsey J. Gray, et al.
Gepubliceerd in: (2024-07-01)

Effect of Dopants on Epitaxial Growth of Silicon Nanowires
door: Sung Hwan Chung, et al.
Gepubliceerd in: (2014-02-01)

Individuality of Dopants in Silicon Nano-pn Junctions
door: Daniel MORARU, et al.
Gepubliceerd in: (2014-06-01)

Dopant-specific unzipping of carbon nanotubes for intact crystalline graphene nanostructures
door: Joonwon Lim, et al.
Gepubliceerd in: (2016-01-01)

Controlling dopant profiles in hyperdoped silicon by modifying dopant evaporation rates during pulsed laser melting
door: Recht, Daniel, et al.
Gepubliceerd in: (2013)

Quantum simulation of the Hubbard model with dopant atoms in silicon
door: Salfi, J, et al.
Gepubliceerd in: (2016)

ANALYTICAL MODELING OF NONLINEAR DIFFUSION OF ARSENIC IN SILICON
door: Jeppson, K, et al.
Gepubliceerd in: (1987)

STRUCTURAL AND ELECTRICAL EFFECTS OF DOPANT SEGREGATION TO SILICON GRAIN-BOUNDARIES
door: Grovenor, C, et al.
Gepubliceerd in: (1985)

Development Of N-Type Spin-On Dopant For Silicon Devices
door: Ahmad Kamil, Suraya
Gepubliceerd in: (2009)

Segregation mechanism of arsenic dopants at grain boundaries in silicon
door: Yutaka Ohno, et al.
Gepubliceerd in: (2021-01-01)

Atom devices based on single dopants in silicon nanostructures
door: Jablonski Ryszard, et al.
Gepubliceerd in: (2011-01-01)

Modelling of dopant diffusion in MOS fabrication process /
door: 225173 Oommen P. A. Kunjappy

Crystalline Silicon Solar Cells with Thin Silicon Passivation Film Deposited prior to Phosphorous Diffusion
door: Ching-Tao Li, et al.
Gepubliceerd in: (2014-01-01)

High phosphorous doped germanium: Dopant diffusion and modeling
door: Cai, Yan, et al.
Gepubliceerd in: (2013)

ASYMPTOTIC ANALYSIS OF A STAR CRACK WITH A CENTRAL HOLE
door: Paine, A, et al.
Gepubliceerd in: (1993)

Scanning tunneling microscopy of buried dopants in silicon: images and their uncertainties
door: Piotr T. Różański, et al.
Gepubliceerd in: (2022-08-01)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
door: P.I. Baranskii
Gepubliceerd in: (2015-04-01)

Modelling of dopant diffusion in MOS fabrication process [mikrofilem]/
door: 225173 Oommen P. A. Kunjappy
Gepubliceerd in: (1990)

Asymptotic dissipativity of the diffusion process in the asymptotic small diffusion scheme
door: Anastasiia Kinash, et al.
Gepubliceerd in: (2015-12-01)

Asymptotic analysis of the flow of shear-thinning foodstuffs in annular scraped heat exchangers
door: Fitt, A, et al.
Gepubliceerd in: (2001)

Vertical silicon nanowire diode with nickel silicide induced dopant segregation
door: Li, Xiang, et al.
Gepubliceerd in: (2013)

Effect of annealing conditions on dopants activation and stress conservation in silicon-germanium
door: Tai-Chen Kuo, et al.
Gepubliceerd in: (2019-01-01)

Fe dopants and surface adatoms versus nontrivial topology of single-crystalline Bi2Se3
door: M Chrobak, et al.
Gepubliceerd in: (2020-01-01)

Defect characterisation in multi-crystalline silicon
door: Lotharukpong, C
Gepubliceerd in: (2015)

Femtosecond laser processing of crystalline silicon
door: Tran, D. V., et al.
Gepubliceerd in: (2004)

Crystalline silicon solar cells
door: Liew, Yee Chok.
Gepubliceerd in: (2010)

Nitrogen-Related Defects in Crystalline Silicon
door: E. N. Sgourou, et al.
Gepubliceerd in: (2024-02-01)

Diffusion in crystalline solid/
door: Murch, Graeme E.
Gepubliceerd in: (1984)