DIFFUSION OF DOPANT IN CRYSTALLINE SILICON - AN ASYMPTOTIC ANALYSIS

DIFFUSION OF DOPANT IN CRYSTALLINE SILICON - AN ASYMPTOTIC ANALYSIS

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	King, J, Please, C
Định dạng:	Journal article
Được phát hành:	1986

Những quyển sách tương tự

ONE-DIMENSIONAL AND TWO-DIMENSIONAL NONLINEAR DOPANT DIFFUSION IN CRYSTALLINE SILICON - SOME ANALYTICAL RESULTS
Bằng: Please, C, et al.
Được phát hành: (1988)

Data for 'Asymptotic Analysis of a Silicon Furnace Model'
Bằng: Sloman, B, et al.
Được phát hành: (2018)

Asymptotic analysis of a silicon furnace model
Bằng: Sloman, B, et al.
Được phát hành: (2018)

Dopant‐free passivating contacts for crystalline silicon solar cells: Progress and prospects
Bằng: Yanhao Wang, et al.
Được phát hành: (2023-02-01)

Double heterojunction crystalline silicon solar cells: from doped silicon to dopant-free passivating contacts
Bằng: Wong, Terence Kin Shun, et al.
Được phát hành: (2023)

Double Heterojunction Crystalline Silicon Solar Cells: From Doped Silicon to Dopant-Free Passivating Contacts
Bằng: Terence K.S. Wong, et al.
Được phát hành: (2022-07-01)

Normalized Characteristics of Laser-Induced Diffusion of Arsenic Dopants in Silicon
Bằng: Oday Hamadi, et al.
Được phát hành: (2007-04-01)

Asymptotic analysis of the growth of cake layers in filters
Bằng: King, JR, et al.
Được phát hành: (1996)

A NEW MODEL FOR THE DIFFUSION OF ARSENIC IN POLYCRYSTALLINE SILICON
Bằng: Oneill, A, et al.
Được phát hành: (1988)

Schottky barrier engineering on dopant-segregated schottky silicon nanowire MOSFETs
Bằng: Chin, Yoke King
Được phát hành: (2013)

Simulation of dopant diffusion in silicon using the finite element method : an adaptive meshing approach /
Bằng: 225727 Razali Ismail
Được phát hành: (1988)

Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon: dopant mapping through secondary electron imaging
Bằng: Castell, M, et al.
Được phát hành: (1999)

Solvothermal synthesis of crystalline 2D bismuth telluride with an isoelectronic dopant
Bằng: Lindsey J. Gray, et al.
Được phát hành: (2024-07-01)

Effect of Dopants on Epitaxial Growth of Silicon Nanowires
Bằng: Sung Hwan Chung, et al.
Được phát hành: (2014-02-01)

Individuality of Dopants in Silicon Nano-pn Junctions
Bằng: Daniel MORARU, et al.
Được phát hành: (2014-06-01)

Dopant-specific unzipping of carbon nanotubes for intact crystalline graphene nanostructures
Bằng: Joonwon Lim, et al.
Được phát hành: (2016-01-01)

Controlling dopant profiles in hyperdoped silicon by modifying dopant evaporation rates during pulsed laser melting
Bằng: Recht, Daniel, et al.
Được phát hành: (2013)

Quantum simulation of the Hubbard model with dopant atoms in silicon
Bằng: Salfi, J, et al.
Được phát hành: (2016)

ANALYTICAL MODELING OF NONLINEAR DIFFUSION OF ARSENIC IN SILICON
Bằng: Jeppson, K, et al.
Được phát hành: (1987)

STRUCTURAL AND ELECTRICAL EFFECTS OF DOPANT SEGREGATION TO SILICON GRAIN-BOUNDARIES
Bằng: Grovenor, C, et al.
Được phát hành: (1985)

Development Of N-Type Spin-On Dopant For Silicon Devices
Bằng: Ahmad Kamil, Suraya
Được phát hành: (2009)

Segregation mechanism of arsenic dopants at grain boundaries in silicon
Bằng: Yutaka Ohno, et al.
Được phát hành: (2021-01-01)

Atom devices based on single dopants in silicon nanostructures
Bằng: Jablonski Ryszard, et al.
Được phát hành: (2011-01-01)

Modelling of dopant diffusion in MOS fabrication process /
Bằng: 225173 Oommen P. A. Kunjappy

Crystalline Silicon Solar Cells with Thin Silicon Passivation Film Deposited prior to Phosphorous Diffusion
Bằng: Ching-Tao Li, et al.
Được phát hành: (2014-01-01)

High phosphorous doped germanium: Dopant diffusion and modeling
Bằng: Cai, Yan, et al.
Được phát hành: (2013)

ASYMPTOTIC ANALYSIS OF A STAR CRACK WITH A CENTRAL HOLE
Bằng: Paine, A, et al.
Được phát hành: (1993)

Scanning tunneling microscopy of buried dopants in silicon: images and their uncertainties
Bằng: Piotr T. Różański, et al.
Được phát hành: (2022-08-01)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
Bằng: P.I. Baranskii
Được phát hành: (2015-04-01)

Modelling of dopant diffusion in MOS fabrication process [mikrofilem]/
Bằng: 225173 Oommen P. A. Kunjappy
Được phát hành: (1990)

Asymptotic dissipativity of the diffusion process in the asymptotic small diffusion scheme
Bằng: Anastasiia Kinash, et al.
Được phát hành: (2015-12-01)

Asymptotic analysis of the flow of shear-thinning foodstuffs in annular scraped heat exchangers
Bằng: Fitt, A, et al.
Được phát hành: (2001)

Vertical silicon nanowire diode with nickel silicide induced dopant segregation
Bằng: Li, Xiang, et al.
Được phát hành: (2013)

Effect of annealing conditions on dopants activation and stress conservation in silicon-germanium
Bằng: Tai-Chen Kuo, et al.
Được phát hành: (2019-01-01)

Fe dopants and surface adatoms versus nontrivial topology of single-crystalline Bi2Se3
Bằng: M Chrobak, et al.
Được phát hành: (2020-01-01)

Defect characterisation in multi-crystalline silicon
Bằng: Lotharukpong, C
Được phát hành: (2015)

Femtosecond laser processing of crystalline silicon
Bằng: Tran, D. V., et al.
Được phát hành: (2004)

Crystalline silicon solar cells
Bằng: Liew, Yee Chok.
Được phát hành: (2010)

Nitrogen-Related Defects in Crystalline Silicon
Bằng: E. N. Sgourou, et al.
Được phát hành: (2024-02-01)

Diffusion in crystalline solid/
Bằng: Murch, Graeme E.
Được phát hành: (1984)