Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers

Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:	Tan, H, Jagadish, C, Williams, J, Zou, J, Cockayne, D
Ձևաչափ:	Journal article
Հրապարակվել է:	1996

Նմանատիպ նյութեր

ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHIZATION PROCESSES IN ALXGA1-XAS
‌: Tan, H, և այլն
Հրապարակվել է: (1995)

Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
‌: Ahmed Z. Obaid, և այլն
Հրապարակվել է: (2024-09-01)

Phonon bottleneck in GaAs/AlxGa1−xAs quantum dots
‌: Y. C. Chang, և այլն
Հրապարակվել է: (2015-06-01)

Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
‌: Jiang, N, և այլն
Հրապարակվել է: (2012)

SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
‌: Oleg V. Devitsky, և այլն
Հրապարակվել է: (2022-05-01)

Long minority carrier lifetime in Au-catalyzed GaAs/AlxGa1-xAs core-shell nanowires
‌: Jiang, N, և այլն
Հրապարակվել է: (2012)

Piezoelectric effects of single-crystal GaAs and multi-layered AlxGa1-xAs/GaAs material measured by the Michelson interferometer
‌: Patara Aiyarak, և այլն
Հրապարակվել է: (2003-09-01)

Topographical, compositional, and dopant contrast from cleavage surfaces of GaAs-AlxGa1-xAs superlattices
‌: Castell, M, և այլն
Հրապարակվել է: (1995)

Picosecond photoluminescence intensity correlation measurements of hot carriers in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells
‌: de Paula, A, և այլն
Հրապարակվել է: (1994)

Energy shifts of heavy and light holes and electroluminescence intensity increase in p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs laser diode heterostructure under uniaxial compression
‌: Bogdanov, E., և այլն
Հրապարակվել է: (2011-02-01)

Formation Technology of Graded-Gap AlxGa1-xAs Solar Cell Structure Separated from GaAs Substrate
‌: Aldis ŠILĖNAS, և այլն
Հրապարակվել է: (2014-06-01)

Properties of AlxGa1−xAs grown from a mixed Ga–Bi melt
‌: Olga Khvostikova, և այլն
Հրապարակվել է: (2024-01-01)

Propriedades elétricas da liga AlxGa1-xAs dopada com Silício.
‌: Ivan Frederico Lupiano Dias, և այլն
Հրապարակվել է: (2004-12-01)

Growth and Characterization of AlxGa1-xAs Obtained by Metallic-Arsenic-Based-MOCVD
‌: Roberto Saúl Castillo-Ojeda, և այլն
Հրապարակվել է: (2017-03-01)

Far Infrared Modulated Photoluminescence (FIRM-PL) study of a 2-D electron gas in GaAs/AlxGa1-xAs heterojunctions and quantum wells
‌: Nicholas, R, և այլն
Հրապարակվել է: (2000)

Effects of hills, morphology, electromagnetic fields, temperature, pressure, and aluminum concentration on the second harmonic generation of GaAs/AlxGa1-xAs elliptical quantum rings
‌: N. Benzerroug, և այլն
Հրապարակվել է: (2024-08-01)

Etude analytique d’une cellule solaire à hétérojonction p+ (GaAs)/n (AlxGa1-xAs)/N (Al0.4Ga0.6As)
‌: H. Ben Slimane, և այլն
Հրապարակվել է: (2008-06-01)

Numerical study of valence band states evolution in AlxGa1-xAs [111] QDs systems
‌: Mikhail Lazarev
Հրապարակվել է: (2024-02-01)

A far infrared modulated photoluminescence (FIRM-PL) study of cyclotron resonance in a 2D electron gas in GaAs/AlxGa1-xAs heterojunctions
‌: Chang, C, և այլն
Հրապարակվել է: (1999)

Indium segregation and enrichment in coherent InxGa1-xAs/GaAs quantum dots
‌: Liao, X, և այլն
Հրապարակվել է: (1999)

Research of synthesis conditions and structural features of heterostructure AlXGa1-XAs/GaAs of the “desert rose” type
‌: Yana Suchikova, և այլն
Հրապարակվել է: (2022-12-01)

Transmission electron microscopy study of InxGa1-xAs quantum dots on a GaAs(001) substrate
‌: Zou, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1999)

Transmission-electron microscopy study of the shape of buried InxGa1-xAs/GaAs quantum dots
‌: Liao, X, և այլն
Հրապարակվել է: (1998)

INFLUENCE OF LIGHT ON THE CONFINEMENT POTENTIAL OF GAAS/ALXGA1-XAS HETEROJUNCTIONS
‌: Michels, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1995)

Observation of magnetophotoluminescence from a GaN/AlxGa1-xN heterojunction
‌: Shields, P, և այլն
Հրապարակվել է: (2002)

The electrical characteristic of AlxGa1-xSb thin films /
‌: 451516 Law, Tien Shyang, և այլն
Հրապարակվել է: (2010)

Carrier capture and relaxation in Stranski-Krastanow InxGa1-xAs/GaAs(311)B quantum dots
‌: Lobo, C, և այլն
Հրապարակվել է: (2000)

Indium segregation and enrichment in coherent InxGa1-xAs/GaAs quantum dots (vol 82, pg 5148, 1999)
‌: Liao, X, և այլն
Հրապարակվել է: (1999)

Inhomogeneous sources of misfit dislocation generation in InxGa1-xAs/GaAs strained-layer heterostructures grown by molecular beam epitaxy
‌: Zou, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1997)

ELECTRON-LO-PHONON SCATTERING RATES IN GAAS-ALXGA1-XAS QUANTUM-WELLS
‌: Weber, G, և այլն
Հրապարակվել է: (1991)

Critical parameters for the presence of a 2DEG in GaN/AlxGa1−xN heterostructures
‌: T. Scheinert, և այլն
Հրապարակվել է: (2019-12-01)

Effect of oxygen on the crystallinity and defect state of AlxGa1−xN epilayers
‌: Chang Wan Ahn, և այլն
Հրապարակվել է: (2023-01-01)

Optical properties of GaAs/Al_xGa_{1-x}As/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
‌: V.A. Holovatsky, և այլն
Հրապարակվել է: (2018-03-01)

Magnetophotoluminescence of GaN/AlxGa1-xN quantum wells: Valence band reordering and excitonic binding energies
‌: Shields, P, և այլն
Հրապարակվել է: (2001)

TEM study of compositional profile in AlGaAs/GaAs quantum wells
‌: Zou, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1998)

Effects of interdiffusion on the luminescence of InGaAs/GaAs quantum dots
‌: Leon, R, և այլն
Հրապարակվել է: (1996)

MAGNETOOPTICAL STUDIES OF SCREENED EXCITONS IN GAAS/ALXGA1-XAS MODULATION-DOPED QUANTUM-WELLS
‌: Henriques, A, և այլն
Հրապարակվել է: (1992)

BULK AND TRANSFER DOPING EFFECTS IN ALXGA1-XAS LAYERS GROWN ON SEMI-INSULATING GAAS SUBSTRATES
‌: Nicholas, R, և այլն
Հրապարակվել է: (1984)

Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for AlxGa1−xN/GaN HEMT
‌: Jing Cai, և այլն
Հրապարակվել է: (2024-03-01)

Improving GaP Solar Cell Performance by Passivating the Surface Using AlxGa1-xP Epi-Layer
‌: Xuesong Lu, և այլն
Հրապարակվել է: (2013-01-01)