Ga door naar de inhoud
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Taal
Alle velden
Titel
Auteur
Onderwerp
Plaatsingsnummer
ISBN/ISSN
Tag
Zoek
Geavanceerd
Ion damage buildup and amorphi...
Citeren
SMS dit
Versturen
Afdrukken
Exporteer Record
Exporteer naar RefWorks
Exporteer naar EndNoteWeb
Exporteer naar EndNote
Permalink
Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
Bibliografische gegevens
Hoofdauteurs:
Tan, H
,
Jagadish, C
,
Williams, J
,
Zou, J
,
Cockayne, D
Formaat:
Journal article
Gepubliceerd in:
1996
Exemplaren
Omschrijving
Gelijkaardige items
Personeel
Gelijkaardige items
ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHIZATION PROCESSES IN ALXGA1-XAS
door: Tan, H, et al.
Gepubliceerd in: (1995)
Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
door: Ahmed Z. Obaid, et al.
Gepubliceerd in: (2024-09-01)
Phonon bottleneck in GaAs/AlxGa1−xAs quantum dots
door: Y. C. Chang, et al.
Gepubliceerd in: (2015-06-01)
Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
door: Jiang, N, et al.
Gepubliceerd in: (2012)
SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
door: Oleg V. Devitsky, et al.
Gepubliceerd in: (2022-05-01)