Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
Ion damage buildup and amorphi...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
Библиографические подробности
Главные авторы:
Tan, H
,
Jagadish, C
,
Williams, J
,
Zou, J
,
Cockayne, D
Формат:
Journal article
Опубликовано:
1996
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHIZATION PROCESSES IN ALXGA1-XAS
по: Tan, H, и др.
Опубликовано: (1995)
Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
по: Ahmed Z. Obaid, и др.
Опубликовано: (2024-09-01)
Phonon bottleneck in GaAs/AlxGa1−xAs quantum dots
по: Y. C. Chang, и др.
Опубликовано: (2015-06-01)
Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
по: Jiang, N, и др.
Опубликовано: (2012)
SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
по: Oleg V. Devitsky, и др.
Опубликовано: (2022-05-01)