Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN

Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN

Diğer sürümleri göster (2)

The effects of oxygen plasma treatment prior to metal contact deposition have been studied for both n-and p-GaN, as well as n-AlGaN. In n-GaN, the as-deposited Ti/Al contacts change from rectifying to ohmic, and further improvements are observed after rapid thermal annealing (RTA). A specific contac...

Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:	Yan, J, Kappers, M, Crossley, A, McAleese, C, Phillips, W, Humphreys, C
Materyal Türü:	Journal article
Dil:	English
Baskı/Yayın Bilgisi:	2004

Benzer Materyaller

Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN
Yazar:: Yan, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN
Yazar:: Yan, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

Study of Interface of Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructure
Yazar:: Joanna Prazmowska, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2016-01-01)

Study of Scandium Based Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructures
Yazar:: Grzegorz Ilgiewicz, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2021-01-01)

Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs
Yazar:: Liang Song, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2018-03-01)

Formation Process and Properties of Ohmic Contacts Containing Molybdenum to AlGaN/GaN Heterostructures
Yazar:: Wojciech Macherzynski, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2016-01-01)

Process of Au-Free Source/Drain Ohmic Contact to AlGaN/GaN HEMT
Yazar:: Lin-Qing Zhang, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022-06-01)

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Semi-Insulating Ammono-GaN Substrates with Regrown Ohmic Contacts
Yazar:: Wojciech Wojtasiak, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2018-10-01)

A Study on the Optimized Ohmic Contact Process of AlGaN/GaN-Si MIS-HEMTs
Yazar:: He Guan, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2021-01-01)

Al‐Rich AlGaN Transistors with Regrown p‐AlGaN Gate Layers and Ohmic Contacts
Yazar:: Brianna Klein, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2025-01-01)

Investigation on the Effect of Annealing Temperature on the Side Ohmic Contact Characteristics for Double Channel GaN/AlGaN Epitaxial Layer
Yazar:: Qingzhi Meng, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022-05-01)

Effects of multi-layer Ti/Al electrode and ohmic groove etching on ohmic characteristics of AlGaN/GaN HEMT devices
Yazar:: Yanxu Zhu, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2021-11-01)

Strain Balanced AlGaN/GaN/AlGaN nanomembrane HEMTs
Yazar:: Tzu-Hsuan Chang, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2017-07-01)

The consequences of high injected carrier densities on carrier localization and efficiency droop in InGaN/GaN quantum well structures
Yazar:: Hammersley, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Polariton lasing in AlGaN microring with GaN/AlGaN quantum wells
Yazar:: Anthonin Delphan, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023-02-01)

Effect of Rapid Thermal Annealing Temperature on the Electrophysical Properties of the Ohmic Contact of Ti/Al/Ni Metallization to the GaN/AlGaN Heterostructure
Yazar:: A. D. Yunik, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022-06-01)

High linearity AlGaN/GaN HEMTs with Au-free Ti/Al/Ni/Ti ohmic contacts for Ka-band applications
Yazar:: Che-Wei Hsu, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024-01-01)

Growth modes in heteroepitaxy of InGaN on GaN
Yazar:: Oliver, R, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

Non-gold ohmic contact for GaN-on-Si HEMT
Yazar:: Zhuang, Yihao
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023)

An AlGaN/GaN Lateral Bidirectional Current-Regulating Diode with Two Symmetrical Hybrid Ohmic-Schottky Structures
Yazar:: Yijun Shi, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022-07-01)

Effect of InGaN/GaN superlattice as underlayer on characteristics of AlGaN/GaN HEMT
Yazar:: Hideyuki Itakura, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2020-02-01)

Graphene/AlGaN/GaN RF Switch
Yazar:: Yevhen Yashchyshyn, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2021-10-01)

Use of Laser Interferometry to Determine the End Time of the Plasma-Chemical Etching of p-GaN and AlGaN Layers of the p-GaN/AlGaN/GaN Heterostructure with Two-Dimensional Electron Gas
Yazar:: A. D. Yunik, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022-12-01)

AlGaN/GaN MOS-HEMTs with Corona-Discharge Plasma Treatment
Yazar:: Shuo-Huang Yuan, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2017-05-01)

Effects of GaN Buffer Resistance on the Device Performances of AlGaN/GaN HEMTs
Yazar:: Ki-Sik Im, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2020-09-01)

Effect of GaN Cap Thickness on the DC Performance of AlGaN/GaN HEMTs
Yazar:: Zuorong Nie, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024-04-01)

Effect of Rapid Thermal Annealing Conditions on the Specific Resistance of the Ohmic Contacts of Ti/Al/Ni/Au Metallization to the GaN/AlGaN Heterostructure
Yazar:: A. D. Yunik, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023-01-01)

Metal/Semiconductor Barrier Properties of Non-Recessed Ti/Al/Ti and Ta/Al/Ta Ohmic Contacts on AlGaN/GaN Heterostructures
Yazar:: Monia Spera, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2019-07-01)

Pulsed sputtering selective epitaxial formation of highly degenerate n-type GaN ohmic contacts for GaN HEMT applications
Yazar:: Ryota Maeda, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024-01-01)

Investigation of MBE grown high Al concentration AlGaN ohmic contact
Yazar:: Yaqin Wang, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024-05-01)

The influence of ammonia on the growth mode in InGaN/GaN heteroepitaxy
Yazar:: Oliver, R, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

Advantages of the Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with an AlGaN/GaN/AlGaN Quantum Well Structured Electron Blocking Layer
Yazar:: Ju, Zhen Gang, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2016)

Effect of P-Type GaN Buried Layer on the Temperature of AlGaN/GaN HEMTs
Yazar:: Hanghang Lv, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023-07-01)

Conduction mechanism of non-gold Ta/Si/Ti/Al/Ni/Ta ohmic contacts in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
Yazar:: Li, Yang, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015)

Wet-based digital etching on GaN and AlGaN
Yazar:: Shih, Pao-Chuan, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022)

Magneto-photoluminescence of AlGaN/GaN quantum wells
Yazar:: Shields, P, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2001)

AlGaN/GaN-based power semiconductor switches
Yazar:: Lu, Bin, Ph. D. Massachusetts Institute of Technology
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

AlGaN/GaN HEMT With 300-GHz fmax
Yazar:: Chung, Jinwook, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

Control of yellow photoluminescence in AlGaN/GaN heterostructures
Yazar:: Nadezhda B. Gladysheva, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2019-06-01)

MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
Yazar:: Haruka Matsuura, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2019-04-01)