Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN

Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN

Показати інші версії (2)

The effects of oxygen plasma treatment prior to metal contact deposition have been studied for both n-and p-GaN, as well as n-AlGaN. In n-GaN, the as-deposited Ti/Al contacts change from rectifying to ohmic, and further improvements are observed after rapid thermal annealing (RTA). A specific contac...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	Yan, J, Kappers, M, Crossley, A, McAleese, C, Phillips, W, Humphreys, C
Формат:	Journal article
Мова:	English
Опубліковано:	2004

Схожі ресурси

Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN
за авторством: Yan, J, та інші
Опубліковано: (2004)

Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN
за авторством: Yan, J, та інші
Опубліковано: (2004)

Study of Interface of Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructure
за авторством: Joanna Prazmowska, та інші
Опубліковано: (2016-01-01)

Study of Scandium Based Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructures
за авторством: Grzegorz Ilgiewicz, та інші
Опубліковано: (2021-01-01)

Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs
за авторством: Liang Song, та інші
Опубліковано: (2018-03-01)

Formation Process and Properties of Ohmic Contacts Containing Molybdenum to AlGaN/GaN Heterostructures
за авторством: Wojciech Macherzynski, та інші
Опубліковано: (2016-01-01)

Process of Au-Free Source/Drain Ohmic Contact to AlGaN/GaN HEMT
за авторством: Lin-Qing Zhang, та інші
Опубліковано: (2022-06-01)

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Semi-Insulating Ammono-GaN Substrates with Regrown Ohmic Contacts
за авторством: Wojciech Wojtasiak, та інші
Опубліковано: (2018-10-01)

A Study on the Optimized Ohmic Contact Process of AlGaN/GaN-Si MIS-HEMTs
за авторством: He Guan, та інші
Опубліковано: (2021-01-01)

Al‐Rich AlGaN Transistors with Regrown p‐AlGaN Gate Layers and Ohmic Contacts
за авторством: Brianna Klein, та інші
Опубліковано: (2025-01-01)

Investigation on the Effect of Annealing Temperature on the Side Ohmic Contact Characteristics for Double Channel GaN/AlGaN Epitaxial Layer
за авторством: Qingzhi Meng, та інші
Опубліковано: (2022-05-01)

Effects of multi-layer Ti/Al electrode and ohmic groove etching on ohmic characteristics of AlGaN/GaN HEMT devices
за авторством: Yanxu Zhu, та інші
Опубліковано: (2021-11-01)

Strain Balanced AlGaN/GaN/AlGaN nanomembrane HEMTs
за авторством: Tzu-Hsuan Chang, та інші
Опубліковано: (2017-07-01)

The consequences of high injected carrier densities on carrier localization and efficiency droop in InGaN/GaN quantum well structures
за авторством: Hammersley, S, та інші
Опубліковано: (2012)

Polariton lasing in AlGaN microring with GaN/AlGaN quantum wells
за авторством: Anthonin Delphan, та інші
Опубліковано: (2023-02-01)

Effect of Rapid Thermal Annealing Temperature on the Electrophysical Properties of the Ohmic Contact of Ti/Al/Ni Metallization to the GaN/AlGaN Heterostructure
за авторством: A. D. Yunik, та інші
Опубліковано: (2022-06-01)

High linearity AlGaN/GaN HEMTs with Au-free Ti/Al/Ni/Ti ohmic contacts for Ka-band applications
за авторством: Che-Wei Hsu, та інші
Опубліковано: (2024-01-01)

Growth modes in heteroepitaxy of InGaN on GaN
за авторством: Oliver, R, та інші
Опубліковано: (2005)

Non-gold ohmic contact for GaN-on-Si HEMT
за авторством: Zhuang, Yihao
Опубліковано: (2023)

An AlGaN/GaN Lateral Bidirectional Current-Regulating Diode with Two Symmetrical Hybrid Ohmic-Schottky Structures
за авторством: Yijun Shi, та інші
Опубліковано: (2022-07-01)

Effect of InGaN/GaN superlattice as underlayer on characteristics of AlGaN/GaN HEMT
за авторством: Hideyuki Itakura, та інші
Опубліковано: (2020-02-01)

Graphene/AlGaN/GaN RF Switch
за авторством: Yevhen Yashchyshyn, та інші
Опубліковано: (2021-10-01)

Use of Laser Interferometry to Determine the End Time of the Plasma-Chemical Etching of p-GaN and AlGaN Layers of the p-GaN/AlGaN/GaN Heterostructure with Two-Dimensional Electron Gas
за авторством: A. D. Yunik, та інші
Опубліковано: (2022-12-01)

AlGaN/GaN MOS-HEMTs with Corona-Discharge Plasma Treatment
за авторством: Shuo-Huang Yuan, та інші
Опубліковано: (2017-05-01)

Effects of GaN Buffer Resistance on the Device Performances of AlGaN/GaN HEMTs
за авторством: Ki-Sik Im, та інші
Опубліковано: (2020-09-01)

Effect of GaN Cap Thickness on the DC Performance of AlGaN/GaN HEMTs
за авторством: Zuorong Nie, та інші
Опубліковано: (2024-04-01)

Effect of Rapid Thermal Annealing Conditions on the Specific Resistance of the Ohmic Contacts of Ti/Al/Ni/Au Metallization to the GaN/AlGaN Heterostructure
за авторством: A. D. Yunik, та інші
Опубліковано: (2023-01-01)

Metal/Semiconductor Barrier Properties of Non-Recessed Ti/Al/Ti and Ta/Al/Ta Ohmic Contacts on AlGaN/GaN Heterostructures
за авторством: Monia Spera, та інші
Опубліковано: (2019-07-01)

Pulsed sputtering selective epitaxial formation of highly degenerate n-type GaN ohmic contacts for GaN HEMT applications
за авторством: Ryota Maeda, та інші
Опубліковано: (2024-01-01)

Investigation of MBE grown high Al concentration AlGaN ohmic contact
за авторством: Yaqin Wang, та інші
Опубліковано: (2024-05-01)

The influence of ammonia on the growth mode in InGaN/GaN heteroepitaxy
за авторством: Oliver, R, та інші
Опубліковано: (2004)

Advantages of the Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with an AlGaN/GaN/AlGaN Quantum Well Structured Electron Blocking Layer
за авторством: Ju, Zhen Gang, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of P-Type GaN Buried Layer on the Temperature of AlGaN/GaN HEMTs
за авторством: Hanghang Lv, та інші
Опубліковано: (2023-07-01)

Conduction mechanism of non-gold Ta/Si/Ti/Al/Ni/Ta ohmic contacts in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
за авторством: Li, Yang, та інші
Опубліковано: (2015)

Wet-based digital etching on GaN and AlGaN
за авторством: Shih, Pao-Chuan, та інші
Опубліковано: (2022)

Magneto-photoluminescence of AlGaN/GaN quantum wells
за авторством: Shields, P, та інші
Опубліковано: (2001)

AlGaN/GaN-based power semiconductor switches
за авторством: Lu, Bin, Ph. D. Massachusetts Institute of Technology
Опубліковано: (2013)

AlGaN/GaN HEMT With 300-GHz fmax
за авторством: Chung, Jinwook, та інші
Опубліковано: (2013)

Control of yellow photoluminescence in AlGaN/GaN heterostructures
за авторством: Nadezhda B. Gladysheva, та інші
Опубліковано: (2019-06-01)

MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
за авторством: Haruka Matsuura, та інші
Опубліковано: (2019-04-01)