Ga door naar de inhoud
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Taal
Alle velden
Titel
Auteur
Onderwerp
Plaatsingsnummer
ISBN/ISSN
Tag
Zoek
Geavanceerd
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRES...
Citeren
SMS dit
Versturen
Afdrukken
Exporteer Record
Exporteer naar RefWorks
Exporteer naar EndNoteWeb
Exporteer naar EndNote
Permalink
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
Bibliografische gegevens
Hoofdauteurs:
Warburton, R
,
Beales, T
,
Mason, N
,
Nicholas, R
,
Walker, P
Formaat:
Journal article
Gepubliceerd in:
1991
Exemplaren
Omschrijving
Gelijkaardige items
Personeel
Omschrijving
Samenvatting:
Gelijkaardige items
GASB HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOVPE
door: Chidley, E, et al.
Gepubliceerd in: (1988)
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE
door: Lakrimi, M, et al.
Gepubliceerd in: (1991)
OPTIMIZATION OF THE GROWTH BY MOVPE OF STRAINED GASB/INAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES ON [111] GAAS SUBSTRATES
door: Lakrimi, M, et al.
Gepubliceerd in: (1992)
Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE
door: Maxim A. Ladugin, et al.
Gepubliceerd in: (2019-06-01)
GAAS/GASB STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES DEPOSITED BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
door: Chidley, E, et al.
Gepubliceerd in: (1989)