Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRES...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
Библиографические подробности
Главные авторы:
Warburton, R
,
Beales, T
,
Mason, N
,
Nicholas, R
,
Walker, P
Формат:
Journal article
Опубликовано:
1991
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Описание
Итог:
Схожие документы
GASB HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOVPE
по: Chidley, E, и др.
Опубликовано: (1988)
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE
по: Lakrimi, M, и др.
Опубликовано: (1991)
OPTIMIZATION OF THE GROWTH BY MOVPE OF STRAINED GASB/INAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES ON [111] GAAS SUBSTRATES
по: Lakrimi, M, и др.
Опубликовано: (1992)
Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE
по: Maxim A. Ladugin, и др.
Опубликовано: (2019-06-01)
GAAS/GASB STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES DEPOSITED BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
по: Chidley, E, и др.
Опубликовано: (1989)