PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES

PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Warburton, R, Beales, T, Mason, N, Nicholas, R, Walker, P
التنسيق:	Journal article
منشور في:	1991

مواد مشابهة

GASB HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOVPE
حسب: Chidley, E, وآخرون
منشور في: (1988)

ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE
حسب: Lakrimi, M, وآخرون
منشور في: (1991)

OPTIMIZATION OF THE GROWTH BY MOVPE OF STRAINED GASB/INAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES ON [111] GAAS SUBSTRATES
حسب: Lakrimi, M, وآخرون
منشور في: (1992)

Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE
حسب: Maxim A. Ladugin, وآخرون
منشور في: (2019-06-01)

GAAS/GASB STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES DEPOSITED BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
حسب: Chidley, E, وآخرون
منشور في: (1989)

GASB/INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE
حسب: Haywood, S, وآخرون
منشور في: (1991)

GROWTH OF GASB BY MOVPE
حسب: Haywood, S, وآخرون
منشور في: (1988)

LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD
حسب: Mallard, R, وآخرون
منشور في: (1989)

LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD
حسب: Mallard, R, وآخرون
منشور في: (1989)

GaAs high temperature optical constants and application to optical monitoring within the MOVPE environment
حسب: Allwood, D, وآخرون
منشور في: (2000)

Growth parameters of InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE
حسب: Roslan, Sharizar, وآخرون
منشور في: (2006)

Growth parameters of InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE /
حسب: Zulkafli Othaman, author, وآخرون
منشور في: (2007)

Arsenic Diffusion in MOVPE‐Grown GaAs/Ge Epitaxial Structures
حسب: V. Orejuela, وآخرون
منشور في: (2024-09-01)

GASB INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE - EFFECT OF GAS SWITCHING SEQUENCES ON INTERFACE QUALITY
حسب: Lakrimi, M, وآخرون
منشور في: (1991)

Photoluminescence studies of individual and few GaSb/GaAs quantum rings
حسب: M. P. Young, وآخرون
منشور في: (2014-11-01)

THERMOELECTRIC-POWER OF GAAS-GAA1AS HETEROSTRUCTURES IN HIGH MAGNETIC-FIELDS
حسب: Vuong, T, وآخرون
منشور في: (1986)

Excitation power dependence of photoluminescence spectra of GaSb type-II quantum dots in GaAs grown by droplet epitaxy
حسب: T. Kawazu, وآخرون
منشور في: (2016-04-01)

PHOTOLUMINESCENCE OF GASB GROWN BY METAL-ORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
حسب: Chidley, E, وآخرون
منشور في: (1991)

CYCLOTRON-RESONANCE IN INAS/GASB HETEROSTRUCTURES
حسب: Sundaram, G, وآخرون
منشور في: (1992)

Magneto-photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum wells and quantum dots grown on (111)B GaAs substrate
حسب: Tyan, S, وآخرون
منشور في: (2000)

HIGH-PRESSURE INVESTIGATION OF GASB AND GA1-XINXSB/GASB QUANTUM-WELLS
حسب: Warburton, R, وآخرون
منشور في: (1991)

ELECTROLUMINESCENCE OUT TO 2.1 MU-M OBSERVED IN GASB/IN(X)GA(1-X)SB QUANTUM-WELLS GROWN BY MOVPE
حسب: Krier, A, وآخرون
منشور في: (1994)

High performance GaAs/AlGaAs radial heterostructure nanowires grown by MOCVD
حسب: Jiang, N, وآخرون
منشور في: (2013)

TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE OF TWO-DIMENSIONAL HOT CARRIERS IN GAAS-ALGAAS HETEROSTRUCTURES
حسب: Ryan, J, وآخرون
منشور في: (1984)

Magneto-photoluminescence of GaAs/AlGaAs heterojunctions under hydrostatic pressure
حسب: Priest, A, وآخرون
منشور في: (1998)

MAGNETOTRANSPORT STUDIES OF GASB/INAS CROSSED GAP HETEROSTRUCTURES IN HIGH MAGNETIC-FIELDS
حسب: Dalton, K, وآخرون
منشور في: (1993)

Time-resolved photoluminescence of two-dimensional hot carriers in GaAs-AlGaAs heterostructures
حسب: Ryan, J, وآخرون
منشور في: (1984)

Structural Analysis of Highly Relaxed GaSb Grown on GaAs Substrates with Periodic Interfacial Array of 90° Misfit Dislocations
حسب: Balakrishnan G, وآخرون
منشور في: (2009-01-01)

STRAIN AND MINIBANDS IN INGAAS-GAAS SUPERLATTICES
حسب: Pulsford, N, وآخرون
منشور في: (1991)

Nature of heterointerfaces in GaAs/InAs and InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
حسب: Paladugu, M, وآخرون
منشور في: (2008)

INTERACTION OF ELECTRONS WITH INTERFACE PHONONS IN GAAS/ALAS AND GAAS/ALGAAS HETEROSTRUCTURES
حسب: Lugli, P, وآخرون
منشور في: (1992)

Growth of InAs/GaSb strained layer superlattices by MOVPE .3. Use of UV absorption to monitor alkyl stability in the reactor
حسب: Booker, G, وآخرون
منشور في: (1997)

Strain Relaxation in GaSb/GaAs(111)A Heteroepitaxy Using Thin InAs Interlayers
حسب: Akihiro Ohtake, وآخرون
منشور في: (2018-11-01)

Improved photoluminescence from electrochemically passivated GaSb
حسب: Salesse, A, وآخرون
منشور في: (1997)

InAs/GaSb Superlattice Based Mid-Infrared Interband Cascade Photodetectors Grown on Both Native GaSb and Lattice-Mismatched GaAs Substrates
حسب: Klaudia Hackiewicz, وآخرون
منشور في: (2019-10-01)

Electrical Properties of Midwave and Longwave InAs/GaSb Superlattices Grown on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy
حسب: D. Benyahia, وآخرون
منشور في: (2018-07-01)

MOVPE grown self-assembled and self-ordered InSb quantum dots in a GaSb matrix assessed by AFM, CTEM, HRTEM and PL
حسب: Mock, P, وآخرون
منشور في: (2001)

The indentation response of GaAs-AlAs heterostructures
حسب: Castell, M, وآخرون
منشور في: (1996)

PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY OF INCOMPRESSIBLE ELECTRON LIQUID STATES IN GAAS
حسب: Ryan, J, وآخرون
منشور في: (1993)

GASB GAINSB QUANTUM WELLS GROWN BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
حسب: Haywood, S, وآخرون
منشور في: (1989)