Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
שפה
כל השדות
כותר
מחבר
נושא
סימן המיקום
ISBN/ISSN
תג
מצא
מתקדם
CAPACITANCE TRANSIENT SPECTROS...
יצירת מראה מקום
שליחה במסרון
שלח את זה
הדפסה
יצוא רשומה
יצוא אל RefWorks
יצוא אל EndNoteWeb
יצוא אל EndNote
Permanent link
CAPACITANCE TRANSIENT SPECTROSCOPY OF DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS
מידע ביבליוגרפי
Main Authors:
Schroter, W
,
Queisser, I
,
Kronewitz, J
פורמט:
Conference item
יצא לאור:
1989
מלאי ספרים
תיאור
פריטים דומים
תצוגת צוות
פריטים דומים
Dislocations in semiconductors
מאת: Bigger, J
יצא לאור: (1992)
DISLOCATION GEOMETRIES IN SEMICONDUCTORS AND IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
מאת: Cockayne, D, et al.
יצא לאור: (1991)
Electronic structure and properties of semiconductors /
מאת: Schroter, W.
יצא לאור: (1991)
LINESHAPE OF COMBINED RESONANCE ON DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS
מאת: Koshelev, A, et al.
יצא לאור: (1989)
Comments on “Negative capacitance effect in semiconductor devices”
מאת: Ma, Jianguo, et al.
יצא לאור: (2009)