Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging

Схожі ресурси

• Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging
  за авторством: Castell, M, та інші
  Опубліковано: (1999)
• Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon: dopant mapping through secondary electron imaging
  за авторством: Castell, M, та інші
  Опубліковано: (1999)
• Kinetics of the permanent deactivation of the boron-oxygen complex in crystalline silicon as a function of illumination intensity
  за авторством: Verena Steckenreiter, та інші
  Опубліковано: (2017-03-01)
• Plasma immersion ion implantation of boron for ribbon silicon solar cells
  за авторством: Derbouz K., та інші
  Опубліковано: (2013-09-01)
• The Modeling of the Radiation Enhanced Diffusion of Boron in Silicon
  за авторством: Gadiyak, G.V., та інші
  Опубліковано: (1994-06-01)