Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
שפה
כל השדות
כותר
מחבר
נושא
סימן המיקום
ISBN/ISSN
תג
מצא
מתקדם
Deactivation and diffusion of...
יצירת מראה מקום
שליחה במסרון
שלח את זה
הדפסה
יצוא רשומה
יצוא אל RefWorks
יצוא אל EndNoteWeb
יצוא אל EndNote
Permanent link
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging
Show other versions (1)
מידע ביבליוגרפי
Main Authors:
Castell, M
,
Simpson, T
,
Mitchell, I
,
Perovic, D
,
Baribeau, J
פורמט:
Journal article
יצא לאור:
1999
מלאי ספרים
תיאור
Other Versions (1)
פריטים דומים
תצוגת צוות
פריטים דומים
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging
מאת: Castell, M, et al.
יצא לאור: (1999)
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon: dopant mapping through secondary electron imaging
מאת: Castell, M, et al.
יצא לאור: (1999)
Kinetics of the permanent deactivation of the boron-oxygen complex in crystalline silicon as a function of illumination intensity
מאת: Verena Steckenreiter, et al.
יצא לאור: (2017-03-01)
Plasma immersion ion implantation of boron for ribbon silicon solar cells
מאת: Derbouz K., et al.
יצא לאור: (2013-09-01)
The Modeling of the Radiation Enhanced Diffusion of Boron in Silicon
מאת: Gadiyak, G.V., et al.
יצא לאור: (1994-06-01)