Անցեք բովանդակությանը
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Լեզու
Բոլոր դաշտերը
Վերնագիր
Հեղինակ
Խորագիր
Դասիչ
ISBN/ISSN
Ցուցիչ
Գտեք
Ընդլայնված
Deactivation and diffusion of...
Վկայակոչեք սա
Գրեք սա
Էլփոստով ուղարկեք սա
Տպել
Արտահանել գրառումը
Արտահանել դեպի RefWorks
Արտահանել դեպի EndNoteWeb
Արտահանել դեպի EndNote
Մշտական հղում
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging
Ցույց տալ այլ տարբերակներ (1)
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:
Castell, M
,
Simpson, T
,
Mitchell, I
,
Perovic, D
,
Baribeau, J
Ձևաչափ:
Journal article
Հրապարակվել է:
1999
Պահումներ
Նկարագրություն
Այլ տարբերակներ (1)
Նմանատիպ նյութեր
Աշխատակազմի տեսք
Նմանատիպ նյութեր
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging
: Castell, M, և այլն
Հրապարակվել է: (1999)
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon: dopant mapping through secondary electron imaging
: Castell, M, և այլն
Հրապարակվել է: (1999)
Kinetics of the permanent deactivation of the boron-oxygen complex in crystalline silicon as a function of illumination intensity
: Verena Steckenreiter, և այլն
Հրապարակվել է: (2017-03-01)
Plasma immersion ion implantation of boron for ribbon silicon solar cells
: Derbouz K., և այլն
Հրապարակվել է: (2013-09-01)
The Modeling of the Radiation Enhanced Diffusion of Boron in Silicon
: Gadiyak, G.V., և այլն
Հրապարակվել է: (1994-06-01)