Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
Deactivation and diffusion of...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging
Pokaż inne wersje (1)
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Castell, M
,
Simpson, T
,
Mitchell, I
,
Perovic, D
,
Baribeau, J
Format:
Journal article
Wydane:
1999
Egzemplarz
Opis
Inne wersje (1)
Podobne zapisy
Wersja MARC
Podobne zapisy
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging
od: Castell, M, i wsp.
Wydane: (1999)
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon: dopant mapping through secondary electron imaging
od: Castell, M, i wsp.
Wydane: (1999)
Kinetics of the permanent deactivation of the boron-oxygen complex in crystalline silicon as a function of illumination intensity
od: Verena Steckenreiter, i wsp.
Wydane: (2017-03-01)
Plasma immersion ion implantation of boron for ribbon silicon solar cells
od: Derbouz K., i wsp.
Wydane: (2013-09-01)
The Modeling of the Radiation Enhanced Diffusion of Boron in Silicon
od: Gadiyak, G.V., i wsp.
Wydane: (1994-06-01)