İçeriği atla
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Dil
Tüm Alanlar
Materyal Adı
Yazar
Konu
Yer Numarası
ISBN/ISSN
Etiket
Ara
Gelişmiş
Deactivation and diffusion of...
Alıntıla
Telefona gönder
E-posta Gönder
Yazdır
Kaydı İhraç Et
İhraç Et RefWorks
İhraç Et EndNoteWeb
İhraç Et EndNote
Kalıcı bağlantı
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging
Diğer sürümleri göster (1)
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:
Castell, M
,
Simpson, T
,
Mitchell, I
,
Perovic, D
,
Baribeau, J
Materyal Türü:
Journal article
Baskı/Yayın Bilgisi:
1999
Erişim Bilgileri
Diğer Bilgiler
Diğer sürümler (1)
Benzer Materyaller
MARC Görünümü
Benzer Materyaller
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging
Yazar:: Castell, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon: dopant mapping through secondary electron imaging
Yazar:: Castell, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)
Kinetics of the permanent deactivation of the boron-oxygen complex in crystalline silicon as a function of illumination intensity
Yazar:: Verena Steckenreiter, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2017-03-01)
Plasma immersion ion implantation of boron for ribbon silicon solar cells
Yazar:: Derbouz K., ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013-09-01)
The Modeling of the Radiation Enhanced Diffusion of Boron in Silicon
Yazar:: Gadiyak, G.V., ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1994-06-01)