Chuyển đến nội dung
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Ngôn ngữ
Tất cả các trường
Tiêu đề
Tác giả
Chủ đề
Số hiệu
số ISBN/ISSN
Nhãn
Tìm kiếm
Nâng cao
Deactivation and diffusion of...
Trích dẫn điều này
Văn bản này
Email này
In
Xuất bản ghi
Xuất tới RefWorks
Xuất tới EndNoteWeb
Xuất tới EndNote
Liên kết dài hạn
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging
Hiển thị phiên bản (1) khác
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:
Castell, M
,
Simpson, T
,
Mitchell, I
,
Perovic, D
,
Baribeau, J
Định dạng:
Journal article
Được phát hành:
1999
Đang giữ
Miêu tả
Phiên bản (1) khác
Những quyển sách tương tự
Chế độ xem nhân viên
Những quyển sách tương tự
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging
Bằng: Castell, M, et al.
Được phát hành: (1999)
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon: dopant mapping through secondary electron imaging
Bằng: Castell, M, et al.
Được phát hành: (1999)
Kinetics of the permanent deactivation of the boron-oxygen complex in crystalline silicon as a function of illumination intensity
Bằng: Verena Steckenreiter, et al.
Được phát hành: (2017-03-01)
Plasma immersion ion implantation of boron for ribbon silicon solar cells
Bằng: Derbouz K., et al.
Được phát hành: (2013-09-01)
The Modeling of the Radiation Enhanced Diffusion of Boron in Silicon
Bằng: Gadiyak, G.V., et al.
Được phát hành: (1994-06-01)