Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
ACTIVATED DC TRANSPORT AND INF...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
ACTIVATED DC TRANSPORT AND INFRARED-ABSORPTION IN EPITAXIAL N-INP
Библиографические подробности
Главные авторы:
Vuong, T
,
Nicholas, R
Формат:
Journal article
Опубликовано:
1985
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
Growing epitaxial layers of InP/InGaAsP heterostructures on the profiled InP surfaces by liquid-phase epitaxy
по: Mikhail G. Vasil’ev, и др.
Опубликовано: (2021-06-01)
InP and InGaAs grown on InP substrate by molecular beam epitaxy
по: Yu Hailong, и др.
Опубликовано: (2022-01-01)
Photoluminescence of ingaas/inp grown by molecular beam epitaxy
по: Harmand Jean Christophe, и др.
Опубликовано: (2004-01-01)
Epitaxy and characterization of InP/InGaAs tandem solar cells grown by MOVPE on InP and Si substrates
по: Soresi Stefano, и др.
Опубликовано: (2023-01-01)
Epitaxial Layers of InP Doped With Rare Elements for Use in Radiation Detector
по: Halyna Kozak, и др.
Опубликовано: (2007-01-01)