THE EXPERIMENTAL REQUIREMENTS FOR QUANTITATIVE MEASUREMENT OF CARRIER RECOMBINATION AT DEFECTS IN SEMICONDUCTORS USING THE EBIC TECHNIQUE

THE EXPERIMENTAL REQUIREMENTS FOR QUANTITATIVE MEASUREMENT OF CARRIER RECOMBINATION AT DEFECTS IN SEMICONDUCTORS USING THE EBIC TECHNIQUE

An analysis is made of the experimental parameters which can cause errors when EBIC measurements are used to investigate the recombination behaviour of defects. In the first part of the paper specimen effects such as the minority carrier diffusion length and depletion region width are considered. In...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי:	Wilshaw, P
פורמט:	Journal article
שפה:	English
יצא לאור:	1989

פריטים דומים

EBIC CONTRAST OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1991)

A comparison between the use of EBIC and IBIC microscopy for semiconductor defect analysis
מאת: Breese, M, et al.
יצא לאור: (1998)

QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
מאת: Fell, T, et al.
יצא לאור: (1991)

QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
מאת: Fell, T, et al.
יצא לאור: (1991)

DISLOCATION RECOMBINATION THEORY FOR SILICON AND INTERPRETATION OF EBIC CONTRAST IN TERMS OF FUNDAMENTAL DISLOCATION PARAMETERS.
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1986)

MEASUREMENT OF CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS BY LOCK-IN EBIC
מאת: Ourmazd, A, et al.
יצא לאור: (1982)

An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1984)

EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCATIONS AND THEIR INTERACTIONS WITH IMPURITIES IN SILICON
מאת: Fell, T, et al.
יצא לאור: (1993)

Junction depth & defect characterization with the use of EBIC
מאת: Phua, Poh Chin.
יצא לאור: (2008)

SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATIONS IN SILICON USING A COMPUTERIZED EBIC SYSTEM
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1983)

SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATION IN SILICON USING A COMPUTERISED EBIC SYSTEM.
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1983)

THEORETICAL INVESTIGATIONS OF COMBINED CL AND EBIC MEASUREMENTS ON CRYSTAL DEFECTS
מאת: Hildebrandt, S, et al.
יצא לאור: (1989)

AN EBIC INVESTIGATION OF ALPHA, BETA AND SCREW DISLOCATIONS IN GALLIUM-ARSENIDE
מאת: Galloway, S, et al.
יצא לאור: (1993)

ON THE FORMATION OF BRIGHT EBIC CONTRASTS AT CRYSTAL DEFECTS
מאת: Blumtritt, H, et al.
יצא לאור: (1989)

TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
מאת: Ourmazd, A, et al.
יצא לאור: (1983)

THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON
מאת: Ourmazd, A, et al.
יצא לאור: (1983)

COMBINED APPLICATION OF SEM-CL AND SEM-EBIC FOR THE INVESTIGATION OF COMPOUND SEMICONDUCTORS
מאת: Schreiber, J, et al.
יצא לאור: (1989)

NEW RESULTS AND AN INTERPRETATION FOR SEM EBIC CONTRAST ARISING FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1985)

Carrier recombination at defects in silicon: The effect of transition metals and hydrogen passivation
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1997)

Device parameters characterization with the use of EBIC
מאת: Oka Kurniawan
יצא לאור: (2010)

Understanding and optimising EBIC pn-junction characterisation from modelling insights
מאת: Zhou, R, et al.
יצא לאור: (2020)

Verification of selected electron beam induced current (EBIC) techniques
מאת: Ang, Alex Yong Guan
יצא לאור: (2008)

Extraction of diffusion length using junction-less EBIC
מאת: Ong, Vincent K. S., et al.
יצא לאור: (2010)

IMAGING OF SEMICONDUCTOR DEFECTS USING ION CHANNELING
מאת: King, P, et al.
יצא לאור: (1993)

Charge‐carrier trapping and radiative recombination in metal halide perovskite semiconductors
מאת: Trimpl, MJ, et al.
יצא לאור: (2020)

Simulation, modeling and parameter extraction studies in EBIC mode of SEM
מאת: Tan, Chee Chin
יצא לאור: (2014)

Depth-dependent EBIC microscopy of radial-junction Si micropillar arrays
מאת: Kaden M. Powell, et al.
יצא לאור: (2020-09-01)

Determination of diffusion length from within a confined region with the use of EBIC
מאת: Ong, Vincent K. S., et al.
יצא לאור: (2009)

A direct evidence of fatigue damage growth inside silicon MEMS structures obtained with EBIC technique
מאת: Vu Le Huy, et al.
יצא לאור: (2014-06-01)

Simulating the electron beam induced current (EBIC) effect in a computer
מאת: Lim, Wei lun
יצא לאור: (2012)

Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity
מאת: A.Yu. Leyderman, et al.
יצא לאור: (2020-09-01)

Quantitative characterization of topographic defects of semiconductor silicon wafers
מאת: S. F. Sianko, et al.
יצא לאור: (2019-06-01)

Data for Understanding and Optimising EBIC pn-Junction Characterisation from Modelling Insights
מאת: Bonilla, R
יצא לאור: (2020)

Feature Selection in High-Dimensional Models via EBIC with Energy Distance Correlation
מאת: Isaac Xoese Ocloo, et al.
יצא לאור: (2022-12-01)

Lifetime in semiconductors : an apparatus for the measurement of carrier liftmen in silicon /
מאת: 269176 Rose, F. W. G., et al.

EBIC studies of minority electron diffusion length in undoped p-type gallium oxide
מאת: Leonid Chernyak, et al.
יצא לאור: (2024-11-01)

EBIC Imaging of Conductive Paths Formed in Graphene Oxide as a Result of Resistive Switching
מאת: Eugene B. Yakimov, et al.
יצא לאור: (2023-02-01)

Determination of diffusion lengths with the use of EBIC from a diffused junction with any values of junction depths
מאת: Ong, Vincent K. S., et al.
יצא לאור: (2009)

METHOD OF MEASURING NON-EQUILIBRIUM CARRIERS CONCENTRATION AND THEIR LIFETIME IN A SEMICONDUCTOR USING THE APPROACH OF A PHOTONIC CRYSTAL WITH A DEFECT MODE
מאת: B. V. Chernyshov, et al.
יצא לאור: (2017-12-01)

Nonradiative recombination in semiconductors /
מאת: 425924 Abakumov, V. N., et al.
יצא לאור: (1991)