Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
EXCITATION-ENHANCED DISLOCATIO...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
EXCITATION-ENHANCED DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS - A MICROSCOPIC MECHANISM
Библиографические подробности
Главные авторы:
Maeda, N
,
Takeuchi, S
Формат:
Conference item
Опубликовано:
1989
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Описание
Итог:
Схожие документы
EFFECT OF SURFACE-CHARGE ON THE DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS
по: Czernuszka, J
Опубликовано: (1989)
EFFECT OF SURFACE-CHARGE ON THE DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS
по: Czernuszka, J
Опубликовано: (1989)
Atomistic simulation of structure and mobility of dislocation in semiconductor
по: Choo, Zhi Min.
Опубликовано: (2008)
Dislocations in semiconductors
по: Bigger, J
Опубликовано: (1992)
DISLOCATION MECHANISMS FOR TWINNING AND POLYTYPIC TRANSFORMATIONS IN SEMICONDUCTORS
по: Pirouz, P
Опубликовано: (1989)