REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY

REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Foord, J, French, C, Levoguer, C, Davies, G
Médium:	Journal article
Vydáno:	1993

Podobné jednotky

REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
Autor: Foord, J, a další
Vydáno: (1993)

SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS
Autor: Davies, G, a další
Vydáno: (1994)

SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
Autor: Davies, G, a další
Vydáno: (1993)

SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V-COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
Autor: Davies, G, a další
Vydáno: (1992)

An investigation of ZnSe growth by chemical beam epitaxy using modulated beam scattering and related techniques
Autor: Foord, J, a další
Vydáno: (1996)

SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Autor: Davies, G, a další
Vydáno: (1991)

SURFACE-REACTION MECHANISMS IN CHEMICAL BEAM EPITAXY
Autor: Foord, J, a další
Vydáno: (1991)

SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY INGAAS/INP GROWTH USING TRIETHYLGALLIUM, TRIISOPROPYLGALLIUM AND TRIISOBUTYLGALLIUM SOURCES
Autor: Davies, G, a další
Vydáno: (1994)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
Autor: Kolodziejski, Leslie A., a další
Vydáno: (2010)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
Autor: Kolodziejski, Leslie A., a další
Vydáno: (2010)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
Autor: Kolodziejski, Leslie A., a další
Vydáno: (2010)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
Autor: Kolodziejski, Leslie A., a další
Vydáno: (2010)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
Autor: Kolodziejski, Leslie A., a další
Vydáno: (2010)

CHEMICAL BEAM EPITAXY AND RELATED GROWTH TECHNIQUES 1991 - PROCEEDINGS OF THE 3RD INTERNATIONAL-CONFERENCE ON CHEMICAL BEAM EPITAXY AND RELATED GROWTH TECHNIQUES OXFORD, UK, 1-5 SEPTEMBER 1991 - PREFACE
Autor: Davies, G, a další
Vydáno: (1992)

Reactivity patterns of stibine and trisdimethylaminoantimony precursors for chemical beam epitaxial growth and etching
Autor: Foord, J, a další
Vydáno: (1998)

DEVELOPMENT OF CHEMICAL BEAM EPITAXY FOR THE DEPOSITION OF GALLIUM NITRIDE
Autor: Kingsley, C, a další
Vydáno: (1995)

Epitaxy of III-V semiconductor nanowires towards optoelectronic devices
Autor: Gao, Q, a další
Vydáno: (2009)

Growth and mechanistic studies of diamond formation by chemical beam epitaxy using methyl and acetylene precursors
Autor: Foord, J, a další
Vydáno: (1996)

Molecular beam epitaxial growth of semiconductor heterostructures for THz electronics
Autor: Ustinov Victor M.
Vydáno: (2018-01-01)

Epitaxial Growth and Processing of Compound Semiconductors
Autor: Kolodziejski, Leslie A., a další
Vydáno: (2010)

Epitaxial Growth and Processing of Compound Semiconductors
Autor: Kolodziejski, Leslie A., a další
Vydáno: (2010)

The effect of V : III ratio on the growth of InN nanostructures by molecular beam epitaxy
Autor: Oliver, R, a další
Vydáno: (2003)

Growth and investigation of epitaxial semiconductor films
Autor: Cullis, A
Vydáno: (1972)

Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
Autor: Kolodziejski, Leslie A., a další
Vydáno: (2010)

Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
Autor: Kolodziejski, Leslie A., a další
Vydáno: (2010)

Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
Autor: Kolodziejski, Leslie A., a další
Vydáno: (2010)

Characterisation of compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
Autor: Zhang, Peng Hua
Vydáno: (2009)

Epitaxial growth of bronze phase titanium dioxide by molecular beam epitaxy
Autor: W. Guo, a další
Vydáno: (2019-03-01)

Multilayer Epitaxial Heterostructures with Multi-Component III–V:Fe Magnetic Semiconductors
Autor: Alexey V. Kudrin, a další
Vydáno: (2023-08-01)

Mid-infrared III–V semiconductor lasers epitaxially grown on Si substrates
Autor: Eric Tournié, a další
Vydáno: (2022-06-01)

Epitaxial growth of V2O3 thin films on Si(111) by molecular beam epitaxy
Autor: Alberto Binetti, a další
Vydáno: (2023-06-01)

Epitaxy and Step Structures on Semiconductor Surfaces
Autor: Mochrie, Simon G. J., a další
Vydáno: (2010)

Epitaxy and Step Structures on Semiconductor Surfaces
Autor: Mochrie, Simon G. J., a další
Vydáno: (2010)

Epitaxy and Step Structures on Semiconductor Surfaces
Autor: Mochrie, Simon G. J., a další
Vydáno: (2010)

On the growth of semiconductor-based epitaxial and oxide films from low energy ion beams
Autor: Vancauwenberghe, Olivier P. J.
Vydáno: (2023)

Step Structures and Epitaxy on Semiconductor Surfaces
Autor: Mochrie, Simon G. J., a další
Vydáno: (2010)

Step Structures and Epitaxy on Semiconductor Surfaces
Autor: Mochrie, Simon G. J., a další
Vydáno: (2010)

Step Structures and Epitaxy on Semiconductor Surfaces
Autor: Mochrie, Simon G. J., a další
Vydáno: (2010)

Growth and characterization of epitaxial tin oxide thin films by laser molecular beam epitaxy
Autor: Ke, Chang
Vydáno: (2012)

Step Structures and Epitaxy on Semiconductor Surfaces
Autor: Mochrie, Simon G. J., a další
Vydáno: (2010)