Alternative dielectrics for hole selective passivating contacts and the influence of nanolayer built-in charge

Alternative dielectrics for hole selective passivating contacts and the influence of nanolayer built-in charge

Highly passivating, hole selective contacts are required for future high efficiency silicon solar cells. This work investigates selected dielectrics as potential SiOx replacements to act as hole selective contacts. AlOx and SiNx were identified as good candidates due to their low valence band offset...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	Mcnab, S, Yu, M, Al-Dhahir, I, Khorani, E, Rahman, T, Boden, SA, Altermatt, PP, Wilshaw, PR, Bonilla, RS
Формат:	Conference item
Мова:	English
Опубліковано:	AIP Publishing 2022

Схожі ресурси

SiNx and AlOx nanolayers in hole selective passivating contacts for high efficiency silicon solar cells
за авторством: McNab, S, та інші
Опубліковано: (2022)

Ion‐charged dielectric nanolayers for enhanced surface passivation in high efficiency photovoltaic devices
за авторством: Al‐Dhahir, I, та інші
Опубліковано: (2023)

Optoelectronic properties of ultrathin ALD silicon nitride and its potential as a hole-selective nanolayer for high efficiency solar cells
за авторством: Khorani, E, та інші
Опубліковано: (2020)

SiNx and AlOx Nanolayers in Hole Selective Passivating Contacts for High Efficiency Silicon Solar Cells
за авторством: McNab, S, та інші
Опубліковано: (2023)

Ion‐Charged Dielectric Nanolayers for Enhanced Surface Passivation in High Efficiency Photovoltaic Devices
за авторством: Isabel Al‐Dhahir, та інші
Опубліковано: (2023-06-01)

Assessing the potential of inversion layer solar cells based on highly charged dielectric nanolayers
за авторством: Yu, M, та інші
Опубліковано: (2021)

Data for "Hole-selective SiNx and AlOx tunnel nanolayers for improved polysilicon passivating contacts"
за авторством: McNab, S, та інші
Опубліковано: (2024)

Optoelectronic properties of ultrathin ALD silicon nitride and its potential as a hole-selective nanolayer for high efficiency solar cells
за авторством: Edris Khorani, та інші
Опубліковано: (2020-11-01)

Synthesis and characterisation of nanolayer passivating contacts for high efficiency solar cells
за авторством: McNab, S
Опубліковано: (2023)

Oxide-nitride nanolayer stacks for enhanced passivation of p-type surfaces in silicon solar cells
за авторством: Niu, X, та інші
Опубліковано: (2024)

Extracting band-tail interface state densities from measurements and modelling of space charge layer resistance
за авторством: Yu, M, та інші
Опубліковано: (2021)

Electrostatic tuning of ionic charge in SiO2 dielectric thin films
за авторством: Al-Dhahir, I, та інші
Опубліковано: (2022)

Data for Assessing the Potential of Inversion Layer Solar Cells Based on Highly Charged Dielectric Nanolayers
за авторством: Bonilla, S
Опубліковано: (2021)

Data for oxide-nitride nanolayer stacks for enhanced passivation of p-type surfaces in silicon solar cells
за авторством: Bonilla Osorio, RS, та інші
Опубліковано: (2024)

Enhancing dielectric-silicon interfaces through surface electric fields during firing
за авторством: Bonilla, RS, та інші
Опубліковано: (2024)

Full-area passivating hole contact in silicon solar cells enabled by a TiOx/metal bilayer
за авторством: Matsui, T, та інші
Опубліковано: (2022)

Data for dielectric surface passivation for silicon solar cells: A review
за авторством: Bonilla, RS, та інші
Опубліковано: (2017)

Towards high efficiency inversion layer cells based on ion-charged dielectrics
за авторством: Yu, M, та інші
Опубліковано: (2022)

Charge fluctuations at the Si-SiO2 interface and its effect on surface recombination in solar cells
за авторством: Bonilla , RS, та інші
Опубліковано: (2020)

Special issue: Surface and interface passivation in crystalline silicon solar cells
за авторством: Bonilla, RS, та інші
Опубліковано: (2020)

On the location and stability of charge in SiO2/SiNx dielectric double layers used for silicon surface passivation
за авторством: Bonilla, R, та інші
Опубліковано: (2014)

Probing the interface state densities near band edges from inductively coupled measurements of sheet resistance
за авторством: Yu, M, та інші
Опубліковано: (2023)

Data for Extracting contact recombination from FFT-filtered photoluminescence imaging of half-metallised silicon solar cells
за авторством: Bonilla, RS, та інші
Опубліковано: (2025)

Very low surface recombination velocity in n-type c-Si using extrinsic field effect passivation
за авторством: Bonilla Osorio, RS, та інші
Опубліковано: (2014)

Extracting contact recombination from FFT-filtered photoluminescence imaging of half-metallised silicon solar cells
за авторством: Shi, Y, та інші
Опубліковано: (2025)

Dielectric surface passivation for silicon solar cells: A review
за авторством: Bonilla Osorio, R, та інші
Опубліковано: (2017)

Thermal oxidation and encapsulation of silicon-carbon nanolayers
за авторством: Schnabel, M, та інші
Опубліковано: (2013)

Data for "The impact of surface polarisation on the degradation of tunnel oxide passivating contacts in silicon solar cells"
за авторством: Liu, D, та інші
Опубліковано: (2024)

The Effect of Exchange-Correlation Holes on the Temperature Dependent Dynamic Dielectric Function of Single-Layer Quantum Wells and Coupled Nanolayers
за авторством: S. A. Hashemizadeh, та інші
Опубліковано: (2013-12-01)

Passivation of all-angle black surfaces for silicon solar cells
за авторством: Rahman, T, та інші
Опубліковано: (2016)

Imaging and quantifying carrier collection in silicon solar cells: a submicron study using electron beam induced current
за авторством: Yu, M, та інші
Опубліковано: (2020)

A technique for field effect surface passivation for silicon solar cells
за авторством: Bonilla Osorio, RS, та інші
Опубліковано: (2014)

Data for Corona charge in SiO2: kinetics and surface passivation for high efficiency silicon solar cells
за авторством: Bonilla, R, та інші
Опубліковано: (2016)

Observations of contact resistance in TOPCon and PERC solar cells
за авторством: Liu, D, та інші
Опубліковано: (2022)

Recombination in passivating contacts: investigation into the impact of the contact work function on the obtained passivation
за авторством: Le, AHT, та інші
Опубліковано: (2023)

Electrically tunable Si-based THz photomodulator using dielectric/polymer surface gating
за авторством: Romain, X, та інші
Опубліковано: (2024)

The influence of surface electric fields on the chemical passivation of Si-SiO2 interfaces after firing
за авторством: Al-Dhahir, I, та інші
Опубліковано: (2022)

Investigating the link between LeTID and hydrogen induced contact resistance in PERC devices
за авторством: Liu, D, та інші
Опубліковано: (2022)

Dielectric Manipulated Charge Dynamics in Contact Electrification
за авторством: Kunming Shi, та інші
Опубліковано: (2022-01-01)

Exploiting extrinsic passivation on thin film dielectrics for high efficiency solar cells
за авторством: Al-Dhahir, I
Опубліковано: (2021)