ELECTRON-TRANSPORT IN SILICON INVERSION-LAYERS AT HIGH MAGNETIC-FIELDS AND THE INFLUENCE OF SUBSTRATE BIAS
Հիմնական հեղինակներ: | Nicholas, R, Kressrogers, E, Kuchar, F, Pepper, M, Portal, J, Stradling, R |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Հրապարակվել է: |
1980
|
Նմանատիպ նյութեր
-
TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS
: Kressrogers, E, և այլն
Հրապարակվել է: (1980) -
SHUBNIKOV-DEHAAS OSCILLATIONS IN N-CHANNEL SILICON (100) MOSFETS IN MAGNETIC-FIELDS UP TO 35-T
: Nicholas, R, և այլն
Հրապարակվել է: (1979) -
THE CYCLOTRON-RESONANCE LINEWIDTH IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE
: Kressrogers, E, և այլն
Հրապարակվել է: (1983) -
THE ELECTRIC SUB-BAND STRUCTURE OF ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE FROM SHUBINKOV-DEHAAS OSCILLATIONS AND INTER-SUB-BAND RESONANCE
: Kressrogers, E, և այլն
Հրապարակվել է: (1983) -
TIME-DEPENDENT ANOMALOUS THRESHOLD IN SILICON MOS DEVICES FABRICATED ON HIGH-RESISTIVITY SUBSTRATES
: Nicholas, R, և այլն
Հրապարակվել է: (1976)