Strong carrier lifetime enhancement in GaAs nanowires coated with semiconducting polymer.

Strong carrier lifetime enhancement in GaAs nanowires coated with semiconducting polymer.

The ultrafast charge carrier dynamics in GaAs/conjugated polymer type II heterojunctions are investigated using time-resolved photoluminescence spectroscopy at 10 K. By probing the photoluminescence at the band edge of GaAs, we observe strong carrier lifetime enhancement for nanowires blended with s...

Bibliografiset tiedot
Päätekijät:	Yong, C, Noori, K, Gao, Q, Joyce, H, Tan, H, Jagadish, C, Giustino, F, Johnston, M, Herz, L
Aineistotyyppi:	Journal article
Kieli:	English
Julkaistu:	2012

Samankaltaisia teoksia

Picosecond carrier lifetime measurements on a single GaAs Nanowire
Tekijä: Parkinson, P, et al.
Julkaistu: (2012)

Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
Tekijä: Jiang, N, et al.
Julkaistu: (2012)

Transient terahertz conductivity of GaAs nanowires
Tekijä: Parkinson, P, et al.
Julkaistu: (2007)

Long minority carrier lifetime in Au-catalyzed GaAs/AlxGa1-xAs core-shell nanowires
Tekijä: Jiang, N, et al.
Julkaistu: (2012)

Noncontact measurement of charge carrier lifetime and mobility in GaN nanowires.
Tekijä: Parkinson, P, et al.
Julkaistu: (2012)

Enhanced minority carrier lifetimes in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires through shell growth optimization.
Tekijä: Jiang, N, et al.
Julkaistu: (2013)

Increased Photoconductivity Lifetime in GaAs Nanowires by Controlled n-Type and p-Type Doping.
Tekijä: Boland, J, et al.
Julkaistu: (2016)

Electron mobilities approaching bulk limits in "surface-free" GaAs nanowires.
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2014)

The influence of surfaces on the transient terahertz conductivity and electron mobility of GaAs nanowires
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2017)

Electronic properties of GaAs, InAs and InP nanowires studied by terahertz spectroscopy.
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2013)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2007)

Nature of heterointerfaces in GaAs/InAs and InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
Tekijä: Paladugu, M, et al.
Julkaistu: (2008)

Increased photoconductivity lifetimes in GaAs nanowires via n-type and p-type shell doping
Tekijä: Boland, J, et al.
Julkaistu: (2016)

Self-healing of fractured GaAs nanowires.
Tekijä: Wang, Y, et al.
Julkaistu: (2011)

Nearly intrinsic exciton lifetimes in single twin-free GaAs/AlGaAs core-shell nanowire heterostructures
Tekijä: Perera, S, et al.
Julkaistu: (2008)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2011)

Understanding the true shape of Au-catalyzed GaAs nanowires.
Tekijä: Jiang, N, et al.
Julkaistu: (2014)

Growth mechanism of truncated triangular GaAs nanowires
Tekijä: Zou, J, et al.
Julkaistu: (2006)

Growth of straight InAs-on-GaAs nanowire heterostructures
Tekijä: Messing, M, et al.
Julkaistu: (2011)

Super deformability and Young's modulus of GaAs nanowires.
Tekijä: Wang, Y, et al.
Julkaistu: (2011)

Understanding the kink formation in GaAs/InAs heterostructural nanowires
Tekijä: Paladugu, M, et al.
Julkaistu: (2006)

Vertically standing Ge nanowires on GaAs(110) substrates
Tekijä: Song, MS, et al.
Julkaistu: (2008)

Formation of hierarchical InAs nanoring/GaAs nanowire heterostructures.
Tekijä: Paladugu, M, et al.
Julkaistu: (2009)

Improved carrier collection in intermixed InGaAs/GaAs quantum wells
Tekijä: Dao, L, et al.
Julkaistu: (1998)

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector
Tekijä: Wang, H, et al.
Julkaistu: (2012)

Spatially-resolved photoluminescence imaging of CdS and GaAs/AlGaAs nanowires
Tekijä: Smith, L, et al.
Julkaistu: (2007)

Evolution of epitaxial InAs nanowires on GaAs 111B.
Tekijä: Zhang, X, et al.
Julkaistu: (2009)

Lattice dynamics and carrier recombination in GaAs/GaAsBi nanowires
Tekijä: M. Jansson, et al.
Julkaistu: (2023-08-01)

Optimised two-temperature growth of GaAs nanowire s by metalorganic chemical vapour deposition
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2006)

Polarity driven formation of InAs/GaAs hierarchical nanowire heterostructures
Tekijä: Paladugu, M, et al.
Julkaistu: (2008)

Temperature dependence of photoluminescence from single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires
Tekijä: Titova, L, et al.
Julkaistu: (2006)

Novel growth and properties of GaAs nanowires on Si substrates.
Tekijä: Kang, J, et al.
Julkaistu: (2010)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
Tekijä: Jackson, H, et al.
Julkaistu: (2008)

Optically pumped room-temperature GaAs nanowire lasers
Tekijä: Saxena, D, et al.
Julkaistu: (2013)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
Tekijä: Kang, J, et al.
Julkaistu: (2011)

Novel growth phenomena observed in axial InAs/GaAs nanowire heterostructures.
Tekijä: Paladugu, M, et al.
Julkaistu: (2007)

Evolution of wurtzite structured GaAs shells around InAs nanowire cores
Tekijä: Paladugu, M, et al.
Julkaistu: (2009)

Facet-Related Non-uniform Photoluminescence in Passivated GaAs Nanowires
Tekijä: Nian Jiang, et al.
Julkaistu: (2020-12-01)

Carrier lifetime and mobility enhancement in nearly defect-free core-shell nanowires measured using time-resolved terahertz spectroscopy.
Tekijä: Parkinson, P, et al.
Julkaistu: (2009)