Highly effective separation of semiconducting carbon nanotubes verified via short-channel devices fabricated using dip-pen nanolithography
We have verified a highly effective separation of semiconducting single-walled carbon nanotubes (sc-SWNTs) via statistical analysis of short-channel devices fabricated using multipen dip-pen nanolithography. Our SWNT separation technique utilizes a polymer (rr-P3DDT) that selectively interacts with...
Автори: | Park, S, Lee, H, Wang, H, Selvarasah, S, Dokmeci, MR, Park, Y, Cha, S, Kim, J, Bao, Z |
---|---|
Формат: | Journal article |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Схожі ресурси
Схожі ресурси
-
The evolution of dip-pen nanolithography
за авторством: Ginger, David S., та інші
Опубліковано: (2012) -
Matrix-assisted dip-pen nanolithography
за авторством: Su, Jin Yao.
Опубліковано: (2010) -
Dip pen nanolithography stamp tip
за авторством: Amro, Nabil A., та інші
Опубліковано: (2012) -
High-throughput dip-pen-nanolithography-based fabrication of Si nanostructures
за авторством: Fragala, Joseph, та інші
Опубліковано: (2012) -
Characterization of the Dip Pen Nanolithography Process for Nanomanufacturing
за авторством: Saha, Sourabh Kumar, та інші
Опубліковано: (2018)