Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
Anodic-oxide-induced interdiff...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
Anodic-oxide-induced interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Yuan, S
,
Kim, Y
,
Tan, H
,
Jagadish, C
,
Burke, P
,
Dao, L
,
Gal, M
,
Chan, M
,
Li, E
,
Zou, J
,
Cai, D
,
Cockayne, D
,
Cohen, R
Format:
Journal article
Publicat:
1998
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
Novel impurity-free interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells by anodization and rapid thermal annealing
per: Yuan, S, et al.
Publicat: (1997)
Effects of interdiffusion on the luminescence of InGaAs/GaAs quantum dots
per: Leon, R, et al.
Publicat: (1996)
TEM study of compositional profile in AlGaAs/GaAs quantum wells
per: Zou, J, et al.
Publicat: (1998)
V-grooved GaAs/AlGaAs quantum wires with side wall quantum wells intermixed by pulsed anodization and rapid thermal annealing
per: Kim, Y, et al.
Publicat: (1996)
Interdiffusion in narrow InGaAsN∕GaAs quantum wells
per: Liu, W., et al.
Publicat: (2013)