Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
Investigation of threading dis...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
Investigation of threading dislocation blocking in strained-layer InGaAs/GaAs heterostructures using scanning cathodoluminescence microscopy
Библиографические подробности
Главные авторы:
Russell, J
,
Zou, J
,
Moon, A
,
Cockayne, D
Формат:
Journal article
Опубликовано:
2000
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Описание
Итог:
Схожие документы
Cathodoluminescence study of oval defects in MBE grown InGaAs/GaAs
по: RussellHarriott, J, и др.
Опубликовано: (1996)
Investigation of oval defects in InGaAs/GaAs strained-layer heterostructures using cathodoluminescence and wavelength dispersive spectroscopy
по: Russell-Harriott, J, и др.
Опубликовано: (1998)
Oval defects in InGaAs/GaAs heterostructures
по: Russell-Harriott, J, и др.
Опубликовано: (1998)
Estimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocations
по: A. A. Maldzhy, и др.
Опубликовано: (2006-12-01)
Misfit dislocations generated from inhomogeneous sources and their critical thicknesses in a InGaAs/GaAs heterostructure grown by molecular beam epitaxy
по: Zou, J, и др.
Опубликовано: (1997)