Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
Investigation of threading dis...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
Investigation of threading dislocation blocking in strained-layer InGaAs/GaAs heterostructures using scanning cathodoluminescence microscopy
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Russell, J
,
Zou, J
,
Moon, A
,
Cockayne, D
Format:
Journal article
Publicat:
2000
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
Cathodoluminescence study of oval defects in MBE grown InGaAs/GaAs
per: RussellHarriott, J, et al.
Publicat: (1996)
Investigation of oval defects in InGaAs/GaAs strained-layer heterostructures using cathodoluminescence and wavelength dispersive spectroscopy
per: Russell-Harriott, J, et al.
Publicat: (1998)
Oval defects in InGaAs/GaAs heterostructures
per: Russell-Harriott, J, et al.
Publicat: (1998)
Estimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocations
per: A. A. Maldzhy, et al.
Publicat: (2006-12-01)
Misfit dislocations generated from inhomogeneous sources and their critical thicknesses in a InGaAs/GaAs heterostructure grown by molecular beam epitaxy
per: Zou, J, et al.
Publicat: (1997)