Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
שפה
כל השדות
כותר
מחבר
נושא
סימן המיקום
ISBN/ISSN
תג
מצא
מתקדם
Investigation of threading dis...
יצירת מראה מקום
שליחה במסרון
שלח את זה
הדפסה
יצוא רשומה
יצוא אל RefWorks
יצוא אל EndNoteWeb
יצוא אל EndNote
Permanent link
Investigation of threading dislocation blocking in strained-layer InGaAs/GaAs heterostructures using scanning cathodoluminescence microscopy
מידע ביבליוגרפי
Main Authors:
Russell, J
,
Zou, J
,
Moon, A
,
Cockayne, D
פורמט:
Journal article
יצא לאור:
2000
מלאי ספרים
תיאור
פריטים דומים
תצוגת צוות
פריטים דומים
Cathodoluminescence study of oval defects in MBE grown InGaAs/GaAs
מאת: RussellHarriott, J, et al.
יצא לאור: (1996)
Investigation of oval defects in InGaAs/GaAs strained-layer heterostructures using cathodoluminescence and wavelength dispersive spectroscopy
מאת: Russell-Harriott, J, et al.
יצא לאור: (1998)
Oval defects in InGaAs/GaAs heterostructures
מאת: Russell-Harriott, J, et al.
יצא לאור: (1998)
Estimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocations
מאת: A. A. Maldzhy, et al.
יצא לאור: (2006-12-01)
Misfit dislocations generated from inhomogeneous sources and their critical thicknesses in a InGaAs/GaAs heterostructure grown by molecular beam epitaxy
מאת: Zou, J, et al.
יצא לאור: (1997)