Chemical etching to dissolve dislocation cores in multicrystalline silicon

Chemical etching to dissolve dislocation cores in multicrystalline silicon

Zobrazit další vydání (1)

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Gregori, N, Murphy, J, Sykes, J, Wilshaw, P
Médium:	Journal article
Vydáno:	2012

Podobné jednotky

Chemical etching to dissolve dislocation cores in multicrystalline silicon
Autor: Gregori, N, a další
Vydáno: (2012)

Removal of dislocation cores from multicrystalline silicon by etching
Autor: Gregori, N
Vydáno: (2011)

Guidelines for establishing an etching procedure for dislocation density measurements on multicrystalline silicon samples
Autor: Krzysztof Adamczyk, a další
Vydáno: (2018-01-01)

Determination of Grain Orientations in Multicrystalline Silicon by Reflectometry
Autor: Wang, Y, a další
Vydáno: (2010)

Dislocation density reduction in multicrystalline silicon through cyclic annealing
Autor: Vogl, Michelle (Michelle Lynn)
Vydáno: (2012)

Direct observation of hydrogen at defects in multicrystalline silicon
Autor: Tweddle, D, a další
Vydáno: (2019)

Stress and temperature coupling effects on dislocation density reduction in multicrystalline silicon
Autor: Castellanos, Sergio, a další
Vydáno: (2013)

Specimen preparation methods for elemental characterisation of grain boundaries and isolated dislocations in multicrystalline silicon using atom probe tomography
Autor: Lotharukpong, C, a další
Vydáno: (2017)

Study of Dislocations in the Minicrystallized Regions in Multicrystalline Silicon Grown by the Directional Solidification Method
Autor: Nan Chen, a další
Vydáno: (2016-10-01)

17.6% Conversion Efficiency Multicrystalline Silicon Solar Cells Using the Reactive Ion Etching with the Damage Removal Etching
Autor: Ji-Myung Shim, a další
Vydáno: (2012-01-01)

Atom probe Tomography of fast-diffusing impurities and the effect of gettering in multicrystalline silicon
Autor: Tweddle, D, a další
Vydáno: (2018)

Numerical Analysis of the Dislocation Density in Multicrystalline Silicon for Solar Cells by the Vertical Bridgman Process
Autor: Makoto Inoue, a další
Vydáno: (2013-01-01)

High-Efficiency 6′′ Multicrystalline Black Solar Cells Based on Metal-Nanoparticle-Assisted Chemical Etching
Autor: Hsu, W. Chuck, a další
Vydáno: (2012)

High-Efficiency 6′′ Multicrystalline Black Solar Cells Based on Metal-Nanoparticle-Assisted Chemical Etching
Autor: W. Chuck Hsu, a další
Vydáno: (2012-01-01)

Impurity locking of dislocations in silicon
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2004)

Texturization of multicrystalline silicon solar cells
Autor: Li, Dai-Yin
Vydáno: (2011)

3D CNN and grad-CAM based visualization for predicting generation of dislocation clusters in multicrystalline silicon
Autor: Kyoka Hara, a další
Vydáno: (2023-09-01)

Reduction of Oxygen Impurity in Multicrystalline Silicon Production
Autor: Bing Gao, a další
Vydáno: (2013-01-01)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Autor: Wilshaw, P, a další
Vydáno: (1989)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Autor: Wilshaw, P, a další
Vydáno: (1989)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2009)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Porous silicon and aluminum co-gettering experiment in p-type multicrystalline silicon substrate
Autor: P.N. Vinod
Vydáno: (2007-01-01)

Delineation of Crystalline Extended Defects on Multicrystalline Silicon Wafers
Autor: Mohamed Fathi
Vydáno: (2007-01-01)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Autor: Fell, T, a další
Vydáno: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Autor: Fell, T, a další
Vydáno: (1989)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2009)

An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
Autor: Wilshaw, P, a další
Vydáno: (1984)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2005)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2009)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2005)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Autor: Wilshaw, P, a další
Vydáno: (1989)

Modelling of Light Trapping in Acidic-Textured Multicrystalline Silicon Wafers
Autor: Yang Li, a další
Vydáno: (2012-01-01)

Electrophoretic Deposited Quartz Powder-Assisted Growth of Multicrystalline Silicon
Autor: Xiang Quan, a další
Vydáno: (2022-04-01)

Dynamics at crystal/melt interface during solidification of multicrystalline silicon
Autor: Fujiwara Kozo, a další
Vydáno: (2022-02-01)

Measurements of Dislocation Locking by Near-Surface Ion-Implanted Nitrogen in Czochralski Silicon
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2009)

Measurements of dislocation locking by near-surface ion-implanted nitrogen in Czochralski silicon
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2008)

Effect of Temperature and Humidity on the Degradation Rate of Multicrystalline Silicon Photovoltaic Module
Autor: N. C. Park, a další
Vydáno: (2013-01-01)