Перейти до змісту
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Мова
Всі поля
Назва
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Тег
Знайти
Розширений
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
Цитувати
Відправити по sms
Відправити е-поштою
Друк
Експортувати запис
Екпортувати в RefWorks
Екпортувати в EndNoteWeb
Екпортувати в EndNote
Постійне посилання
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Показати інші версії (1)
Бібліографічні деталі
Автори:
Fell, T
,
Wilshaw, P
Формат:
Journal article
Опубліковано:
1989
Примірники
Опис
Інші версії (1)
Схожі ресурси
Службовий вигляд
Схожі ресурси
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1991)